[发明专利]一种LED芯片结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910165928.8 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109841716A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 袁纪文 | 申请（专利权）人： | 扬州联华电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 225600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲层 源层 发光层 反射层 上表面 透明导电膜 整体稳定性 发光量 下表面 衬底 光量 制造 消耗 能源 吸收 保证 | ||
1.一种LED芯片结构，包括衬底(1)、反射层(2)、缓冲层(3)和发光层(4)，所述衬底(1)的上表面与反射层(2)的下表面固定连接，所述反射层(2)的顶部与缓冲层(3)的底部接触，所述缓冲层(3)的上表面与发光层(4)的底部固定连接，其特征在于：所述发光层(4)包括N型层(401)、有源层(402)、P型欧姆接触层(403)和透明导电膜(404)，所述N型层(401)的底部与缓冲层(3)的顶部接触，并且N型层(401)的顶部与有源层(402)的底部固定连接，所述有源层(402)的顶部与P型欧姆接触层(403)的顶部固定连接，并且P型欧姆接触层(403)的上表面与透明导电膜(404)的底部固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：所述缓冲层(3)的厚度为100-300nm。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：所述反射层(2)的材料为氧化硅，并且反射层(2)采用反射镜结构设计。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：所述发光层(4)两倾斜面与水平面间的夹角小于40°。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：所述透明导电膜(404)上设置有第一电极，所述N型层(401)上固定连接有第二电极。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1、依次布置衬底(1)、反射层(2)、缓冲层(3)和发光层(4)；
S2、通过刻蚀的方法形成芯片隔离区；
S3、在芯片两侧边缘对称分别形成N型电极形成区；
S4、在隔离区N型电极形成区、在反射层之上形成绝缘介质膜层；
S5、对N型电极型成区、反射层(2)上的绝缘介质膜层形成N电极、P电极的窗口区，并对绝缘介质膜层形成山脊分离形状；
S6、制作形成P型电极和N型电极,焊接于PCB板上。
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