[发明专利]一种LED芯片结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种LED芯片结构，所述衬底的上表面与反射层的下表面固定连接，所述反射层的顶部与缓冲层的底部接触，所述缓冲层的上表面与发光层的底部固定连接，所述发光层包括N型层、有源层、P型欧姆接触层和透明导电膜，所述N型层的底部与缓冲层的顶部接触，并且N型层的顶部与有源层的底部固定连接，所述有源层的顶部与P型欧姆接触层的顶部固定连接，涉及LED芯片技术领域。该LED芯片结构及其制造方法，能够很好的保证LED芯片的使用效果，大大的提高了整体的发光量，避免了大量的光量被消耗和吸收，降低了使用者的使用成本，减少了能源的浪费，且整体稳定性强，操作方便，实用性强，便于使用者进行使用。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种LED芯片结构及其制造方法。

背景技术

LED芯片是一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。

LED芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是:把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的，但是现有的LED芯片，其发光量低，有很大一部分的光量被吸收消耗，增加了使用者的成本，影响了使用者的使用。

传统的LED芯片结构及其制造方法，不能够很好的保证LED芯片的使用效果，大大的降低了整体的发光量，大量的光量容易被消耗和吸收，增加了使用者的使用成本，增加了能源的浪费，且整体稳定性不强，操作不够方便，实用性不强，不便于使用者进行使用，不够安全可靠。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种LED芯片结构及其制造方法，解决了LED芯片结构发光量不好和光量容易被吸收的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种LED芯片结构，包括衬底、反射层、缓冲层和发光层，所述衬底的上表面与反射层的下表面固定连接，所述反射层的顶部与缓冲层的底部接触，所述缓冲层的上表面与发光层的底部固定连接，所述发光层包括N型层、有源层、P型欧姆接触层和透明导电膜，所述N型层的底部与缓冲层的顶部接触，并且N型层的顶部与有源层的底部固定连接，所述有源层的顶部与P型欧姆接触层的顶部固定连接，并且P型欧姆接触层的上表面与透明导电膜的底部固定连接。

优选的，所述缓冲层的厚度为100-300nm。

优选的，所述反射层的材料为氧化硅，并且反射层采用反射镜结构设计。

优选的，所述发光层两倾斜面与水平面间的夹角小于40°。

优选的，所述透明导电膜上设置有第一电极，所述N型层上固定连接有第二电极。

本发明还公开了一种LED芯片结构的制造方法，具体包括以下步骤：

S1、依次布置衬底、反射层、缓冲层和发光层；

S2、通过刻蚀的方法形成芯片隔离区；

S3、在芯片两侧边缘对称分别形成N型电极形成区；

S4、在隔离区N型电极形成区、在反射层之上形成绝缘介质膜层；

S5、对N型电极型成区、反射层上的绝缘介质膜层形成N电极、P电极的窗口区，并对绝缘介质膜层形成山脊分离形状；