[发明专利]研磨用组合物在审
| 申请号： | 201910167508.3 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110240866A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吉崎幸信;高桥洋平 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨用组合物 磨粒 平均一次粒径 研磨对象物 粗大颗粒 分散介质 研磨 高度差 粒径 侵蚀 | ||
1.一种研磨用组合物，其为用于对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，其中，
包含磨粒和分散介质，
所述磨粒的平均一次粒径为40nm以下，
所述磨粒中的粒径0.2～1600μm的粗大颗粒在所述研磨用组合物每1cm3中为20000个以下。
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均一次粒径为15nm以下。
3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均一次粒径为11nm以下。
4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的D90/D10为2.2以下。
5.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的含量为0.5～2.5质量％。
6.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒在酸性区域中具有负的Zeta电位。
7.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒为表面固定化有机酸而成的磨粒。
8.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的缔合度为2.3以下。
9.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其pH为1～4。
10.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，实质上不含氧化剂。
11.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述研磨对象物包含选自氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜、氮化钛膜和单晶硅中的至少1种的膜。
12.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述研磨对象物包含：氮化硅膜；以及，氧化硅膜和多晶硅膜中的至少一者。
13.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，进一步包含：选自由阳离子性高分子、阴离子性高分子、非离子性高分子、阳离子性表面活性剂、阴离子性表面活性剂、非离子性表面活性剂和糖醇组成的组中的至少1种添加剂。
14.一种研磨方法，其具备：使用权利要求1～13中任一项所述的研磨用组合物，对研磨对象物进行研磨。
15.一种半导体基板的制造方法，其具备权利要求14所述的研磨方法。
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