[发明专利]研磨用组合物

说明书

本发明提供一种有利于提高高度差性能(特别是侵蚀)的、新型的研磨用组合物。一种研磨用组合物，其为用于对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，其包含磨粒和分散介质，前述磨粒的平均一次粒径为40nm以下，前述磨粒中的粒径0.2～1600μm的粗大颗粒在前述研磨用组合物每1cm³中为20000个以下。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物。

背景技术

伴随着LSI(Large Scale Integration)的高集成化、高性能化，开发了新的微细加工技术。化学机械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)法也是其中之一，其为LSI制造工序、特别是多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化、金属塞形成、埋入布线(镶嵌布线)形成中频繁利用的技术。

近年来，随着设计规则的缩小化，设备制造所要求的技术逐年变严格，LSI半导体设备中，高度差性能的提高成为重要的课题。其中，抑制侵蚀对高度差性能的提高是必不可少的(例如日本特开2004-123921号公报)。

发明内容

由此，本发明要解决的课题在于，提供一种有利于提高高度差性能(特别是侵蚀)的、新型的研磨用组合物。

用于解决本发明的上述课题的一方式为一种研磨用组合物，其为用于对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，其包含磨粒和分散介质，前述磨粒的平均一次粒径为40nm以下，前述磨粒中的粒径0.2～1600μm的粗大颗粒在前述研磨用组合物每1cm³中为20000个以下。

具体实施方式

以下，对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不仅限定于以下的实施方式。另外，只要没有特别说明，操作和物性等的测定在室温(20～25℃)/相对湿度40～50％RH的条件下测定。

(研磨用组合物)

本发明的一方式为一种研磨用组合物，其为用于对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物，其包含磨粒和分散介质，前述磨粒的平均一次粒径为40nm以下，前述磨粒中的粒径0.2～1600μm的粗大颗粒在前述研磨用组合物每1cm³中为20000个以下。通过上述构成，从而可以提供一种有利于提高高度差性能(特别是侵蚀)的新型的研磨用组合物。

(磨粒)

本发明的研磨用组合物包含磨粒，前述磨粒的平均一次粒径为40nm以下，前述磨粒中的粒径0.2～1600μm的粗大颗粒在前述研磨用组合物每1cm³中为20000个以下。根据本发明，可以提供有利于提高高度差性能(特别是侵蚀)的新型的研磨用组合物。侵蚀可以用以下的方法测定。对8英寸SiN/P-TEOS图案晶圆进行研磨，对于图案的凸部，切去SiN层直至P-TEOS层露出的时刻，在晶圆上形成由P-TEOS和SiN形成的图案面。接着，对于所得图案面，针对线和空间为0.25μm/0.25μm的部分，将无布线的部分的P-TEOS部分作为基准高度，使用AFM(原子力显微镜)(AFM WA1300日立建机Finetech株式会社制)测定与布线上的P-TEOS部分的高度差的高度之差X作为侵蚀。

作为磨粒的种类，例如可以举出二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铈、氧化钛等金属氧化物。为了有效地发挥本发明的期望的效果，优选二氧化硅。作为适合的例子的二氧化硅的种类没有特别限定，例如可以举出胶体二氧化硅、气相二氧化硅、溶胶凝胶法二氧化硅等。其中，优选胶体二氧化硅。