[发明专利]一种用于旋转阴极的液密封结构及真空磁控溅射装置有效
申请号: | 201910168258.5 | 申请日: | 2019-03-06 |
公开(公告)号: | CN110042351B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 张迎春;张源 | 申请(专利权)人: | 张迎春 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11644 | 代理人: | 冯德魁;窦晓慧 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 旋转 阴极 密封 结构 真空 磁控溅射 装置 | ||
本申请公开一种用于旋转阴极的液密封结构,在真空磁控溅射旋转阴极中采用上述液密封结构用于冷却水的动态和静态密封,所述第一密封环的一端设置有与固定件连接的键结构,另一端与第二密封环平面接触;两密封环高光洁度表面之间直接接触提供动态密封,动态密封表面提供一个合适的轴向力,保证良好的动态密封并保护动态密封表面。因此,采用上述液密封结构既可以保证高压大流量的冷却水供应,减少靶面积瘤、打弧现象;又可以确保有更高的溅射速率。并且,在真空磁控溅射旋转阴极中采用上述液密封结构可以有效的满足旋转阴极在其使用过程中对冷却循环密封结构的质量高密封性能和长期免维护的迫切需求。
技术领域
本发明涉及密封结构技术领域,更具体地说,本发明涉及一种对旋转阴极的液动密封的密封结构。
背景技术
真空磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射,在材料上完成镀膜。
磁控溅射包括很多种类,主要有平面磁控溅射和圆柱磁控溅射沉积技术。
圆柱磁控溅射阴极工作时,由减速电机通过同步带轮驱动,使靶材围绕着固定的磁条组件匀速转动,整个靶面都能位于溅射区域。冷却水直接通过靶管内侧,对靶材进行直接冷却,再通过磁条组件中心的空心轴对磁铁进行间接冷却。
现有技术中,在真空磁控溅射旋转阴极中用于冷却水的密封多数是胶圈形式,胶圈多用于静密封,用于动密封时由于耐磨性较差,容易损坏,造成漏水甚至其它不必要损失。
发明内容
本发明提供一种对旋转阴极的液密封结构,以解决现有技术中存在的上述问题。
本发明提供一种用于旋转阴极的液密封结构,其特征在于,包括固定件,第一密封环、第二密封环、压环、靶材端法兰以及弹性件;
其中,所述靶材端法兰包括法兰盘以及由法兰盘一端向外的筒结构;
所述第一密封环、第二密封环、压环、靶材端法兰的筒结构同轴设置;
所述第一密封环的一端设置有与固定件连接的键结构,另一端与第二密封环平面接触;所述第二密封环另一端与压环相抵接;
弹性件设置于所述法兰盘与所述压环之间,两端分别抵接所述法兰盘与所述压环,并在装配后呈压缩状态;
所述靶材端法兰的筒结构套接于所述压环和第二密封环外侧,并与二者密封接触;
可选的,所述第一密封环的一端设置有与固定件连接的键结构具体为由该端向外突出的花键,相应的固定件上设置有键槽。
可选的,所述第一密封环的一端设置有与固定件连接的键结构具体为设置于该段的键槽,相应的固定件上设置有向外突出的花键。
可选的,所述压环和第二密封环之间设置有静密封结构。
可选的,所述静密封结构为橡胶密封圈。
可选的,所述弹性件为弹簧。
可选的,所述法兰盘与所述法兰盘一端向外的筒结构为一体成型结构。
可选的,所述法兰盘与所述法兰盘一端向外的筒结构为分体式结构,二者之间通过花键相连接。
可选的,所述第一密封环、第二密封环为陶瓷材料。
本申请还提供一种包括上述液密封结构的真空磁控溅射装置。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
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