[发明专利]含硼掺杂剂浆料及其应用在审
| 申请号： | 201910170214.6 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109860032A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 杨立功;邓舜;奚琦鹏;袁丽娟;潘琦 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C30B31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含硼掺杂剂 重量份 浆料 硼掺杂 硅片 有机季铵盐 有机硼酸酯 电学性能 二羟基胺 硅片表面 晶体结构 丝网印刷 多元醇 晶体硅 扩散炉 硼扩散 热能耗 衬底 喷涂 扩散 损害 应用 | ||
1.含硼掺杂剂浆料，其特征在于，其含有：
有机硼酸酯5～70重量份，
多元醇15～50重量份，
二羟基胺10～40重量份，
以及有机季铵盐0.1～2.5重量份。
2.根据权利要求1所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，所述有机硼酸酯具有如式(I)的通式：
其中，R1、R2和R3分别独立地为H，或碳数1～8的烷基。
3.根据权利要求1所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，所述多元醇具有如式(II)的通式：
其中，R4为H，或碳数1～4的烷基。
4.根据权利要求1所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，所述二羟基胺具有如式(III)的通式：
其中，R5为H，或碳数1～12的烷基；R6和R7分别独立地为碳数1～8的亚烷基。
5.根据权利要求1所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，所述有机季铵盐具有如式(IV)的通式：
其中，R8为碳数6～22的的烷基。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，还含有：有机粘结剂1～8重量份；
所述有机粘结剂具有如式(V)的通式：
其中，n为100～2000。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，还含有：粉体赋形剂15～20重量份；
所述粉体赋形剂具有如式(VI)的通式：
MxOy(VI)
其中，M为Mg、Al、Ca或Si；x为1～3；y为1～4。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，还包括：硼挥发抑制剂1～10重量份；
所述硼挥发抑制剂具有如式(VII)的通式：
其中，R9和R10分别独立地为碳数2～18的烷基或烷氧基。
9.根据权利要求8所述的含硼掺杂剂浆料，其特征在于，R9为碳数4～12的烷基，R10为碳数8～16的烷氧基。
10.硅片硼掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在硅片表面喷涂或丝网印刷权利要求1至9中任一项所述的含硼掺杂剂浆料；
2)将经过步骤1)处理后的硅片置于扩散炉中进行硼扩散，扩散温度为700～850℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州时创能源科技有限公司，未经常州时创能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910170214.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
