[发明专利]框架一体型掩模的制造方法在审
| 申请号： | 201910170860.2 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110241382A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李炳一 | 申请（专利权）人： | TGO科技株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩模 一体型 工艺区域 掩模单元 制造 温度降低 温度提升 粘合 支撑 | ||
1.一种框架一体型掩模的制造方法，所述框架一体型掩模由至少一个掩模与用于支撑掩模的框架形成为一体，其特征在于，包括以下步骤：
(a)提供具有至少一个掩模单元区域的框架；
(b)使掩模与框架的掩模单元区域对应；
(c)将包括框架的工艺区域的温度提升至第一温度；
(d)将掩模的边缘的至少一部分粘合到框架；以及
(e)将包括框架的工艺区域的温度降低至第二温度。
2.一种框架一体型掩模的制造方法，所述框架一体型掩模由至少一个掩模与用于支撑掩模的框架形成为一体，其特征在于，包括以下步骤：
(a)提供具有至少一个掩模单元区域的框架；
(b)将包括框架的工艺区域的温度提升至第一温度；
(c)使掩模与框架的掩模单元区域对应；
(d)将掩模的边缘的至少一部分粘合到框架；以及
(e)将包括框架的工艺区域的温度降低至第二温度。
3.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
步骤(a)包括以下步骤：
(a1)提供包括中空区域的边缘框架部；以及
(a2)将具备多个掩模单元区域的掩模单元片材部连接至边缘框架部，以制造框架。
4.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
步骤(a)包括：
(a1)提供包括中空区域的边缘框架部；
(a2)将平面状的掩模单元片材部连接至边缘框架部；以及
(a3)在掩模单元片材部形成多个掩模单元区域，以制造框架。
5.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
第一温度是高于或者等于OLED像素沉积工艺温度的温度，
第二温度是至少低于第一温度的温度。
6.根据权利要求5所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
第一温度为25℃至60℃中的任意一个温度，
第二温度为低于第一温度且20℃至30℃中的任意一个温度，
OLED像素沉积工艺温度为25℃至45℃中的任意一个温度。
7.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
在使掩模与掩模单元区域对应时，不对掩模进行拉伸。
8.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
当将工艺区域的温度降低至第二温度时，粘合于框架的掩模因收缩而受到张力。
9.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
掩模单元片材部沿着第一方向、垂直于第一方向的第二方向中的至少一个方向具备多个掩模单元区域。
10.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
使各个掩模与各个掩模单元区域分别对应。
11.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
掩模包括多个掩模单元，一个掩模单元位于一个掩模单元区域内。
12.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
掩模包括多个掩模单元，多个掩模单元位于一个掩模单元区域内。
13.根据权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法，其特征在于，
边缘框架部的厚度厚于掩模单元片材部的厚度，
掩模单元片材部的厚度厚于掩模，
掩模单元片材部的厚度为0.1mm至1mm，
掩模的厚度为2μm至50μm。
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