[发明专利]陶瓷电介质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备

权利要求书

1.陶瓷电介质，包括

包括钡(Ba)和钛(Ti)的块状电介质，

陶瓷纳米片，以及

所述块状电介质和所述陶瓷纳米片的复合电介质，

其中以1至15重量份的量包括所述陶瓷纳米片，基于100重量份的所述块状电介质。

2.如权利要求1所述的陶瓷电介质，其中所述复合电介质的相不同于所述块状电介质的相和所述陶瓷纳米片的相。

3.如权利要求1所述的陶瓷电介质，其中所述复合电介质包括多个相。

4.如权利要求1所述的陶瓷电介质，其中所述陶瓷纳米片的相由化学式1至3之一表示：

[化学式1]

X_m[A_(n-1)M_nO_(3n+1)]

[化学式2]

X_r[A_pM_(p-1)O_3p]

[化学式3]

X_r[M_pO_(2p+1)]

其中，在化学式1至3中，

X为H、碱金属、阳离子、阳离子化合物或其组合，

A为Ca、Na、Ta、Bi、Ba和Sr的至少一种，

M不同于A且为W、Mo、Cr、Ta、Nb、V、Zr、Hf、Pb、Sn、La和Ti的至少一种，

0≤m≤2，0≤r≤2，n≥1，和p≥1。

5.如权利要求4所述的陶瓷电介质，其中所述复合电介质的相由化学式4表示：

[化学式4]

Ba_aTi_bA_cM_dQ_eO_f

其中，在化学式4中，

A为Ca、Na、Ta、Bi、Ba和Sr的至少一种，

M不同于A且为W、Mo、Cr、Ta、Nb、V、Zr、Hf、Pb、Sn、La和Ti的至少一种，

Q为Si、Mn、Al、Fe、Zn、Ga、Dy和In的至少一种，

0a≤4，0b≤4，0≤c≤8，0d≤8，0≤e≤0.5，和0f≤30。

6.如权利要求1所述的陶瓷电介质，其中所述陶瓷纳米片具有Aurivilius相、Ruddlesden-Popper相、Dion-Jacobson相或钛铌酸盐相的电介质的剥落结构体。

7.如权利要求1所述的陶瓷电介质，其中所述陶瓷纳米片包括Ca₂Nb₃O₁₀、Ca₂NaNb₄O₁₃、Ca₂Na₂Nb₅O₁₆、Sr₂Nb₃O₁₀、SrBi₄Ti₄O₁₅、Ti₂NbO₇、LaNb₂O₇或其组合。

8.如权利要求1所述的陶瓷电介质，其中所述陶瓷电介质包括

包括所述块状电介质的多个半导体晶粒，和

设置在相邻的半导电晶粒之间的绝缘晶界，所述绝缘晶界包括所述陶瓷纳米片。

9.如权利要求8所述的陶瓷电介质，其中在所述半导体晶粒和所述绝缘晶界的至少一种中包括所述复合电介质。

10.如权利要求1所述的陶瓷电介质，其中所述陶瓷电介质具有比所述块状电介质更高的介电常数和电阻率。