[发明专利]一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法在审

专利信息
申请号: 201910171842.6 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN109881170A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 张绍璞;范刚;黄兴盛;胡征宇 申请(专利权)人: 厦门阿匹斯智能制造系统有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭锦辉;陈艺琴
地址: 361000 福建省厦门市集美区*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射镀膜设备 镀膜 环形工件 溅射靶 色差 沉积均匀性 真空腔体 低能级 真空腔 减小 远端 沉积 体内
【权利要求书】:

1.一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,包括一真空腔体,所述真空腔体内设置有环形工件架和溅射靶,所述溅射靶设置于所述环形工件架的内部。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述环形工件架上设置有若干工件,所述环形工件架为自转和公转结构。

3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述溅射靶靠近所述环形工件架设置。

4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述溅射靶为一对中频磁控溅射靶或直流磁控溅射靶。

5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述溅射靶为柱状溅射靶。

6.一种镀膜方法,其特征在于,使用权利要求1~5中任一项所述的磁控溅射镀膜设备镀膜,步骤如下:

对工件进行清洗,然后将其安装在环形工件架上;

将真空腔体进行抽真空处理,直至所述真空腔体的本底真空度为0.001Pa~0.01Pa;

通入惰性气体,调整所述真空腔体的真空度至0.1Pa~1Pa,同时,将溅射功率调整为大于等于20kw,从而使溅射靶对工件进行溅镀。

7.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述惰性气体为氩气。

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