[发明专利]一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法在审
申请号: | 201910171842.6 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN109881170A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 张绍璞;范刚;黄兴盛;胡征宇 | 申请(专利权)人: | 厦门阿匹斯智能制造系统有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/50 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭锦辉;陈艺琴 |
地址: | 361000 福建省厦门市集美区*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控溅射镀膜设备 镀膜 环形工件 溅射靶 色差 沉积均匀性 真空腔体 低能级 真空腔 减小 远端 沉积 体内 | ||
本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法,该设备包括一真空腔体,所述真空腔体内设置有环形工件架和溅射靶,所述溅射靶设置于所述环形工件架的内部。本发明的磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法能够很好的消除了远端低能级沉积,从而使得膜的沉积均匀性更高,色差大幅减小。
技术领域
本发明涉及一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法。
背景技术
现有的磁控溅射镀膜设备中,靠近溅射靶近端处的待镀膜工件区域为溅射靶的“正常镀膜区”,其属于工件正常的镀膜区域,而位于该溅射靶最远端处的待镀膜工件区域则产生了低能级沉积,从而形成“异常镀膜区”,低能级沉积会导致膜层结构变异,产生夹层结构,不利于功能性膜层的正常性能发挥。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法。
本发明通过以下技术方案来实现:一种磁控溅射镀膜设备,包括一真空腔体,所述真空腔体内设置有环形工件架和溅射靶,所述溅射靶设置于所述环形工件架的内部。
优选的,所述环形工件架上设置有若干工件,所述环形工件架为自转和公转结构。
优选的,所述溅射靶靠近所述环形工件架设置。
优选的,所述溅射靶为一对中频磁控溅射靶或直流磁控溅射靶。
优选的,所述溅射靶为柱状溅射靶。
一种镀膜方法,使用上述磁控溅射镀膜设备进行镀膜,步骤如下:对工件进行清洗,然后将其安装在环形工件架上;将真空腔体进行抽真空处理,直至所述真空腔体的本底真空度为0.001Pa~0.01Pa;通入惰性气体,调整所述真空腔体的真空度至0.1Pa~1Pa,同时,将溅射功率调整为大于等于20kw,从而使溅射靶对工件进行溅镀。
优选的,所述惰性气体为氩气。
本发明的磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法能够很好的消除了远端低能级沉积,从而使得膜的沉积均匀性更高,色差大幅减小。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它附图。
图1是发明磁控溅射镀膜设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参考说明书附图1,一种磁控溅射设备,包括真空腔体1和抽真空设备(图未示出),该抽真空设备与该真空腔体1连接,该真空腔体1内设置有环形工件架11和溅射靶12,其中,该溅射靶12为柱状溅射靶,优选的,该溅射靶12为一对中频磁控溅射靶或直流磁控溅射靶,该溅镀靶可并排设置,该溅射靶12设置于该环形工件架11的内部,该溅射靶12靠近该环形工件架1设置从而仅对靠近该溅射靶端的工件进行溅镀形成正常镀膜区,消除了远端低能级沉积,从而使得膜的沉积均匀性更高,色差大幅减小;该环形工件架11上设置有若干个待镀膜的工件,优选的,该些工件在该环形工件架上均匀分布,该环形工件架11能绕着该真空腔体的中心进行转动,同时该环形工件架上的工件也能在驱动机构的带动下进行自转,即此时该环形工件架11为自转和公转结构,从而能够为工件提供更多的运动自由度和更广的溅射角度,从而提高工件膜层的均匀性、一致性。
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