[发明专利]一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法

权利要求书

1.一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于通过以下质量份组分混合并充分搅拌与研磨制成：

所述的改性丙烯酸树脂低聚物溶液和改性硫醇溶液，均在季铵盐有机改性硅酸镁铝的参与下制得，所述的季铵盐有机改性硅酸镁铝通过以下方法制得：

将1～5份稀土物质和20～50份硅源加到1000份纯水中并充分搅拌均匀，然后加入30～60份可溶性铝盐和5～15份可溶性镁盐并充分搅拌均匀，再加入10～30份季铵盐并充分搅拌均匀，升温至100～150℃并保温反应2～4h，停止反应出料，将反应液过滤并充分洗涤，再将滤饼在60～90℃下充分干燥，即得季铵盐有机改性硅酸镁铝。

2.根据权利要求1所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的改性丙烯酸树脂低聚物溶液通过以下方法制得：

将100份醇、1～5份所制备的季铵盐有机改性硅酸镁铝以及0.5～2.5份聚合引发剂加到反应釜中，升温至70～90℃，然后将100～150份丙烯酸酯单体以及1～5份聚合引发剂混合均匀，再缓慢滴入反应釜中，加料完毕继续保温反应1～3h，再加入20～50份交联单体和0.5～2.5份聚合引发剂并继续保温反应1～2h，停止反应并冷却至室温，制得改性丙烯酸树脂低聚物溶液。

3.根据权利要求1所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的改性硫醇溶液通过以下方法制得：

将100份醇、1～5份所制备的季铵盐有机改性硅酸镁铝以及50～100份1,3-丙二硫醇混合均匀，然后升温至30～60℃并保温反应30～60min，之后停止反应并冷却至室温，制得改性硫醇溶液。

4.根据权利要求1所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的稀土物质为Ce(NO₃)₃、Ce₂(SO₄)₃、CeCl₃、Dy(NO₃)₃、Dy₂(SO₄)₃、DyCl₃中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的硅源为正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三乙氧基硅烷中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的可溶性铝盐为氯化铝、硫酸铝、硝酸铝中的一种或几种；所述的可溶性镁盐为氯化镁、硫酸镁、硝酸镁中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的季铵盐为十二烷基二甲基苄基溴化铵、十二烷基二甲基苄基氯化铵、十六烷基二甲基苄基溴化铵、十六烷基二甲基苄基氯化铵、十八烷基二甲基苄基溴化铵、十八烷基二甲基苄基氯化铵中的一种或几种。

8.根据权利要求2所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的聚合引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰、过氧化甲乙酮、过氧化环己酮中的一种或几种。

9.根据权利要求2所述的一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于所述的交联单体为1,6-己二醇双丙烯酸酯、二缩丙二醇双丙烯酸酯、三缩丙二醇双丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二缩三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯、双季戊四醇六丙烯酸酯中的一种或几种。