[发明专利]一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶

权利要求书

1.一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于通过以下质量份组分混合并充分搅拌与研磨制成：

改性甲基丙烯酸树脂溶液 100份

产酸剂 0.5~5份

助剂 1~5份；

所述的改性甲基丙烯酸树脂溶液由以下质量份组分制成：

醇 200份

钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体 30~70份

聚合引发剂 1.1~5.5份，

制备方法为：

将100份醇、30~70份钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体、0.1~0.5份聚合引发剂加到反应釜中，再升温至70～90℃；然后将100份醇和1～5份聚合引发剂混合均匀，再缓慢滴入反应釜中，控制滴加时间至少30min；加料完毕继续保温反应1～4h，然后停止反应并冷却至室温出料，即制得改性甲基丙烯酸树脂溶液。

2.根据权利要求1所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体由以下方法制备而成：

将0.1~0.5份稀土物质和30~60份钛源加到1000份纯水中搅拌10~30min，然后加入20~50份可溶性镁盐和1~5份可溶性锂盐，升温至60~80℃并保温反应10~30min；之后加入1000~3000份甲基丙烯酸酯单体并充分搅拌均匀，再升温至120~150℃并保温反应30~60min；然后停止反应并降温出料，待反应液静置直至明显分层，再弃去下层水相，保留上层有机相；有机相中加入1000份饱和食盐水并充分搅拌，静置直至明显分层，再弃去下层水相，保留上层有机相，即得钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体。

3.根据权利要求1所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述改性甲基丙烯酸树脂溶液、产酸剂与助剂研磨后通过0.2μm滤膜过滤，滤液即为光刻胶。

4.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的稀土物质为Ce(NO₃)₃、Ce₂(SO₄)₃、CeCl₃、Dy(NO₃)₃、Dy₂(SO₄)₃、DyCl₃中的一种或几种。

5.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的钛源为钛酸四异丙酯、正钛酸四丁酯、三羟酰基钛酸异丙酯、三硬脂酯基钛酸异丙酯、二羟酰基乙二撑钛酸脂中的一种或几种。

6.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的可溶性镁盐为氯化镁、硫酸镁、硝酸镁中的一种或几种。

7.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的可溶性锂盐为氯化锂、硫酸锂、硝酸锂、碳酸锂中的一种或几种。

8.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的丙烯酸酯单体为甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲氧基聚乙二醇(350)单甲基丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(350)单丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(550)单甲基丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(550) 单丙烯酸酯中的一种或几种。