[发明专利]TO玻璃金属封装管壳有效

专利信息
申请号: 201910172456.9 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN109887888B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 丁飞;李玮;徐佳丽;李天骄;李志宏 申请(专利权)人: 河北中瓷电子科技股份有限公司
主分类号: H01L23/06 分类号: H01L23/06;H01L23/10;H01L21/48
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 王朝
地址: 050200 河北省石*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: to 玻璃 金属 封装 管壳
【权利要求书】:

1.TO玻璃金属封装管壳,其特征在于,包括:

DC引线组件,包括不锈钢底座和多个DC引线,多个所述DC引线借助高介电常数玻璃与所述不锈钢底座封装焊接,所述不锈钢底座上设有射频孔;

射频引线组件,包括KOVAR圆环和射频引线,所述射频引线借助低介电常数玻璃与所述KOVAR圆环封装焊接;

所述KOVAR圆环封装焊接于所述射频孔内;

所述的TO玻璃金属封装管壳的制备方法,包括:

根据射频引线的直径和低介电玻璃介电常数设计低介电玻璃绝缘子的内径和外径及KOVAR圆环的内径和外径;

根据所述KOVAR圆环的外径设计射频孔的内径和用于焊接的焊料尺寸;

采用低介电常数玻璃,将所述KOVAR圆环和所述射频引线封装焊接为射频引线组件;

采用高介电常数玻璃,将不锈钢底座与DC引线进行封装焊接为DC引线组件;

将所述射频引线组件与所述DC引线组件封装焊接为底座组件;

将所述底座组件镀镍镀金制备成成品;

所述采用低介电常数玻璃,将所述KOVAR圆环和所述射频引线封装焊接为射频引线组件的过程为:

将所述KOVAR圆环和所述射频引线在900-1200℃扩散炉中氧化5-10min;

将氧化处理的所述KOVAR圆环、所述射频引线和低介电常数玻璃用石墨模具装夹好后,在900-1100℃还原气氛的焊接炉中焊接,推舟速度20-100mm/min,冷却时间20-60min。

2.如权利要求1所述的TO玻璃金属封装管壳,其特征在于,所述不锈钢底座为圆柱体,所述射频孔设置于所述不锈钢底座的中心。

3.如权利要求1所述的TO玻璃金属封装管壳,其特征在于,所述射频孔为圆形孔。

4.如权利要求1所述的TO玻璃金属封装管壳,其特征在于,所述不锈钢底座的外表面、所述射频引线的外露部分和所述DC引线的外露部分均镀镍镀金。

5.如权利要求4所述的TO玻璃金属封装管壳,其特征在于,镍层厚度1.27-8.9μm,金层厚度0.3-3.0μm。

6.如权利要求1所述的TO玻璃金属封装管壳,其特征在于,所述采用高介电常数玻璃,将不锈钢底座与DC引线进行封装焊接为DC引线组件的过程为:

将所述不锈钢底座和所述DC引线进行镀镍处理,镍层厚度1.0-8.9μm;

将镀镍处理的所述不锈钢底座、所述DC引线和高介电常数玻璃用石墨模具装夹好后,在900-1100℃还原气氛的焊接炉中焊接,推舟速度20-100mm/min,冷却时间20-60min。

7.如权利要求1所述的TO玻璃金属封装管壳,其特征在于,所述将所述射频引线组件与所述DC引线组件封装焊接为底座组件的过程为:

采用AgCu焊料进行二次封装焊接为底座组件,焊接温度800-900℃,推舟速度20-100mm/min,冷却时间20-60min。

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