[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件

权利要求书

1.一种图形化方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；

在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；

在第一区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第一槽，第二方向与第一方向垂直，且相邻第一槽之间具有第一分割掺杂掩膜层，所述第一分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子，且所述第一分割掺杂掩膜层沿第一方向贯穿第一区；

在第一槽侧壁形成第一侧墙；

在第二区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第二槽，且相邻第二槽之间具有第二分割掺杂掩膜层，所述第二分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子，且所述第二分割掺杂掩膜层沿第一方向贯穿第二区；

在第二槽侧壁形成第二侧墙；

形成第一侧墙、第二侧墙、第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层后，刻蚀去除第一区和第二区内的第一掩膜层。

2.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述掺杂离子包括：砷离子、硼离子、磷离子、镓离子或铟离子。

3.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：多晶硅、二氧化硅、氮化硅、氧化钛或者氮化钛。

4.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为10nm～60nm。

5.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度为10nm～60nm。

6.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一区包括若干沿第二方向相间排布的第一子区和第二子区，第二方向与第一方向垂直，相邻的第一子区和第二子区邻接，所述第二区包括若干沿第二方向相间排布的第三子区和第四子区，相邻的第三子区和第四子区邻接；相邻第三子区之间具有第二子区和第一子区；所述第一槽位于第一子区；所述第一分割掺杂掩膜层位于第二子区；所述第二槽位于第三子区；所述第二分割掺杂掩膜层位于第四子区。

7.根据权利要求6所述的图形化方法，其特征在于，所述第一槽、第二槽、第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层的形成方法包括：刻蚀去除第一子区的第一掩膜层，形成第一槽；刻蚀去除第三子区的第一掩膜层，形成第二槽；在第二子区的部分第一掩膜层中掺杂离子，形成第一分割掺杂掩膜层；在第四子区的部分第一掩膜层中掺杂离子，形成第二分割掺杂掩膜层。

8.根据权利要求7所述的图形化方法，其特征在于，形成第一侧墙后，形成第二槽。

9.根据权利要求8所述的图形化方法，其特征在于，形成第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层后，形成第一槽。

10.根据权利要求7所述的图形化方法，其特征在于，形成第二侧墙后，形成第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层。

11.根据权利要求1、9或10所述的图形化方法，其特征在于，形成第一分割掺杂掩膜层的过程中，形成第二分割掺杂掩膜层。

12.根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层的形成方法包括：在所述第一掩膜层上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层内具有第一阻挡层开口和第二阻挡开口，所述第一阻挡开口暴露出部分第二子区的第一掩膜层表面，所述第二阻挡开口暴露出部分第四子区的第一掩膜层表面；以第一阻挡层为掩膜，在部分第二子区的第一掩膜层中、以及部分第四子区的第一掩膜层中注入掺杂离子，形成第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层；在部分第二子区的第一掩膜层中、以及部分第四子区的第一掩膜层中注入掺杂离子后，且刻蚀去除第二子区和第四子区内的第一掩膜层之前，去除第一阻挡层。