[发明专利]一种检查低压晶体管可靠性的方法有效
申请号: | 201910173006.1 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN109902410B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 曹云;于明 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367;G06F119/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检查 低压 晶体管 可靠性 方法 | ||
1.一种检查低压晶体管可靠性的方法,至少一个所述低压晶体管位于电路中,所述电路中还包括至少一个高压晶体管,所述高压晶体管包括P型场效应管和N型场效应管,所述电路连接高压电源和低压电源,其特征在于,所述检查低压晶体管可靠性的方法包括:
步骤一,直接确定每个所述低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至所述高压电源,若是,则对该低压晶体管进行标记;
步骤二,将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路后,确定每个所述低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至所述高压电源,若是,则对该低压晶体管进行标记;
步骤三,将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路,确定每个所述N型场效应管的栅极是否连接所述高压电源,且该N型场效应管的源极是否连接一个所述低压晶体管的漏极,若是,则对该低压晶体管进行标记;
其中,所述高压电源的电压输出值为3.6V~5V,所述低压电源的电压输出值为1.2V~1.6V。
2.如权利要求1所述的检查低压晶体管可靠性的方法,其特征在于,将被标记所述低压晶体管替换为高压晶体管。
3.如权利要求1所述的检查低压晶体管可靠性的方法,其特征在于,所述检查低压晶体管可靠性的方法还包括:
判断所述电路的设计数据是否具有LAYOUT文件,若是,则将所述LAYOUT文件输入至Calibre软件。
4.如权利要求3所述的检查低压晶体管可靠性的方法,其特征在于,
将GDS2格式的文件输入Calibre软件后,加入代码进行自动检测。
5.如权利要求3所述的检查低压晶体管可靠性的方法,其特征在于,若所述电路的设计数据不具有LAYOUT文件,则将电路的示意图转换成电路网表,采用Perl软件读取电路网表。
6.如权利要求5所述的检查低压晶体管可靠性的方法,其特征在于,将电路的示意图转换成电路网表,采用Perl软件读取电路网表包括:
将层次示意图列表转换为平面示意图列表;
根据Perl脚本确定所述平面示意图列表中的每个所述低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至所述高压电源,若是,则对该低压晶体管进行标记;
对所述平面示意图列表进行处理,从所述平面示意图列表的衬垫端出发,根据器件网表的格式,将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路后,确定每个所述低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至所述高压电源,若是,则对该低压晶体管进行标记;
对所述平面示意图列表进行处理,从所述平面示意图列表的衬垫端出发,根据器件网表的格式,将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路,确定每个所述N型场效应管的栅极是否连接所述高压电源,且该N型场效应管的源极是否连接一个所述低压晶体管的漏极,若是,则对该低压晶体管进行标记。
7.如权利要求1所述的检查低压晶体管可靠性的方法,其特征在于,所述检查低压晶体管可靠性的方法还包括:
将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路,确定每个所述N型场效应管的栅极是否连接所述高压电源,以使多个所述低压晶体管的栅极连接的电压大于1.5V,若是,则对多个所述低压晶体管进行标记,其中,
VDDA50-Vth*X≥1.5V,VDDA50为高压电源的输出电压值,Vth为低压晶体管的阈值电压,X为电路中低压晶体管的级数,X的取值使VDDA50-Vth*X≥1.5V。
8.如权利要求7所述的检查低压晶体管可靠性的方法,其特征在于,
将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路,确定每个所述N型场效应管的栅极是否连接所述高压电源,且该N型场效应管的源极是否连接一个所述低压晶体管的栅极,若是,则对该低压晶体管进行标记,标记为第一替换晶体管;
确定所述第一替换晶体管的源极是否连接另一个所述低压晶体管的栅极,若是,则对该低压晶体管进行标记,标记为第二替换晶体管;
确定所述第二替换晶体管的源极是否连接另一个所述低压晶体管的栅极,若是,则对该低压晶体管进行标记,标记为第三替换晶体管;
确定所述第三替换晶体管的源极是否连接另一个所述低压晶体管的栅极,若是,则对该低压晶体管进行标记,标记为第四替换晶体管。
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