[发明专利]一种检查低压晶体管可靠性的方法

说明书

本发明提供了一种检查低压晶体管可靠性的方法，至少一个低压晶体管位于电路中，电路还包括至少一个高压晶体管，高压晶体管包括P型场效应管和N型场效应管，电路连接高压电源和低压电源，步骤一，直接确定每个低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至高压电源，若是，则对该低压晶体管进行标记；步骤二，将每个P型场效应管的源极和漏极进行短路后，确定每个低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至高压电源，若是，则对该低压晶体管进行标记；步骤三，将每个P型场效应管的源极和漏极进行短路，确定每个N型场效应管的栅极是否连接高压电源，且该N型场效应管的源极是否连接一个低压晶体管的漏极，若是，则对该低压晶体管进行标记。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种检查低压晶体管可靠性的方法。

背景技术

在现代电路设计和应用中，一般会引入两种或者多种电压电源，同理电路设计中就会用到两种或者多种不同耐压的晶体管。在实践中，有可能电路中会出现低压晶体管会看到高电压的情况，这将引起低压晶体管的工作可靠性问题，比如高温使用寿命测试(HTOL)失效，晶体管易漏电等问题。因此，电路设计中出现低压晶体管会看到高电压的情况应该需要尽量避免的。

在目前的检查方法主要有两种：一种是通过动态的电路仿真，通过仿真器会报告出晶体管超出限压阈值的情况，该方法优点是全面真实有效，缺点是需要仿真模型支持和需要仿真时间。另外一种是通过静态的剖析网表来报告低压晶体管的违规现象。该方法的优点是速度快，实施方便，缺点是易发生误报现象，需要电路设计者针对报告的情况进行复核，该检查方法一般在Layout Versus Schematics(LVS)检查过程中的Electrical RuleChecking(ERC)检查来实现，在静态检查过程中只分析高压线源，而不穿通高压晶体管可能会导致的错失报告的情况，也可在LAYOUT设计还未完成时，对电路网表进行检查，及时查找出潜在的设计风险，避免延迟设计Schedule。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检查低压晶体管可靠性的方法，以解决现有的在静态检查过程中只分析高压线源，而不穿通高压晶体管导致的错失报告的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种检查低压晶体管可靠性的方法，至少一个所述低压晶体管位于电路中，所述电路中还包括至少一个高压晶体管，所述高压晶体管包括P型场效应管和N型场效应管，所述电路连接高压电源和低压电源，所述检查低压晶体管可靠性的方法包括：

步骤一，直接确定每个所述低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至所述高压电源，若是，则对该低压晶体管进行标记；

步骤二，将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路后，确定每个所述低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至所述高压电源，若是，则对该低压晶体管进行标记；

步骤三，将每个所述P型场效应管的源极和漏极短路，确定每个所述N型场效应管的栅极是否连接所述高压电源，且该N型场效应管的源极是否连接一个所述低压晶体管的漏极，若是，则对该低压晶体管进行标记。

可选的，在所述的检查低压晶体管可靠性的方法中，所述高压电源的电压输出值为3.6V～5V。

可选的，在所述的检查低压晶体管可靠性的方法中，所述低压电源的电压输出值为1.2V～1.6V。

可选的，在所述的检查低压晶体管可靠性的方法中，将被标记所述低压晶体管替换为高压晶体管。

可选的，在所述的检查低压晶体管可靠性的方法中，所述检查低压晶体管可靠性的方法还包括：

判断所述电路的设计数据是否具有LAYOUT文件，若是，则将所述LAYOUT文件输入至Calibre软件。

可选的，在所述的检查低压晶体管可靠性的方法中，

将GDS2格式的文件输入Calibre软件后，加入代码进行自动检测。