[发明专利]一种无色莫桑石的制备方法有效
| 申请号： | 201910173192.9 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109911899B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 211500 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无色 莫桑石 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
采用高纯半绝缘碳化硅晶片作为原料制备莫桑石，具体为：将高纯半绝缘碳化硅晶片放入坩埚，装炉并设置生长参数，通过加热所述坩埚，所述高纯半绝缘晶片升华而在坩埚顶部进行再结晶，冷却出炉得到无色莫桑石；
所述晶片尺寸为1~12英寸；
所述生长参数为：温度在2000 ~ 2300℃，压力在1 ~ 700 Torr。
2.根据权利要求1所述的一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述高纯半绝缘碳化硅晶片的晶型包括4H-SiC、6H-SiC。
3.根据权利要求1所述的一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述晶片包括整片、小片、裂片、碎片。
4.根据权利要求1所述的一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述坩埚材质包括石墨、碳化钽、镀碳化钽层的石墨。
5.根据权利要求1所述的一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述坩埚顶部包括无籽晶坩埚盖，或有籽晶的坩埚盖。
6.根据权利要求5所述的一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述籽晶为碳化硅晶片。
7.根据权利要求6所述的一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述籽晶为碳化硅晶片晶型包括4H-SiC、6H-SiC。
8.根据权利要求7所述的一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述籽晶为碳化硅晶片导电类型包括N型导电、高纯半绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏超芯星半导体有限公司，未经江苏超芯星半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910173192.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
