[发明专利]配线基板的制造方法及制造装置以及集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种配线基板的制造方法，其特征在于，包括：

准备工序，准备形成有热塑性色粉的色粉像的基板；以及

配线形成工序，在形成于所述基板之上的所述色粉像之上，形成厚度0.1μm至2μm范围的导电箔图像，之后，对所述色粉像及所述导电箔图像赋予热，形成由所述导电箔图像构成的配线。

2.根据权利要求1所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉中，加热下的流动开始温度为80℃以下，1/2下降温度为95℃以下。

3.根据权利要求2所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉的所述流动开始温度为50℃至75℃的范围，所述1/2下降温度为60℃至86℃的范围。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉含有非晶性树脂及结晶性树脂。

5.根据权利要求4所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉是具有芯部以及包覆部的色粉粒子，所述芯部含有所述非晶性树脂及所述结晶性树脂，所述包覆部含有非晶性树脂。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉中，相对于色粉粒子的总体积，粒径为16μm以上的色粉粒子的体积分率为1％以下。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述配线形成工序是通过对所述色粉像及所述导电箔图像赋予60℃以上的热及1MPa以下的压力而形成配线。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述配线形成工序是通过将形成于薄膜基材上的导电箔转印至所述色粉像之上而形成导电性的配线。

9.一种集成电路的制造方法，其特征在于包括：

通过权利要求1所述的配线基板的制造方法来制造配线基板的工序；以及

安装工序，对所述配线基板安装半导体元件。

10.一种配线基板的制造装置，其特征在于具有：

配线形成部，通过在形成于基板之上的包括热塑性色粉的色粉像之上，形成厚度0.1μm至2μm的范围的导电箔图像，之后，对所述色粉像及所述导电箔图像赋予热，而形成由所述导电箔图像构成的配线。

11.根据权利要求10所述的配线基板的制造装置，其特征在于，所述热塑性色粉中，加热下的流动开始温度为80℃以下，1/2下降温度为95℃以下。

12.根据权利要求11所述的配线基板的制造装置，其特征在于，所述热塑性色粉的所述流动开始温度为50℃至75℃的范围，所述1/2下降温度为60℃至86℃的范围。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的配线基板的制造装置，其特征在于，所述热塑性色粉含有非晶性树脂及结晶性树脂。

14.根据权利要求13所述的配线基板的制造装置，其特征在于，所述热塑性色粉具有芯部以及包覆部，所述芯部含有所述非晶性树脂及所述结晶性树脂，所述包覆部含有非晶性树脂。

15.根据权利要求10至12中任一项所述的配线基板的制造装置，其特征在于，所述热塑性色粉中，相对于色粉粒子的总体积，粒径为16μm以上的色粉粒子的体积分率为1％以下。

16.根据权利要求10至12中任一项所述的配线基板的制造装置，其特征在于，在所述配线形成部中，通过对所述色粉像及所述导电箔图像赋予60℃以上的热及1MPa以下的压力，而形成由所述导电箔图像构成的配线。

17.根据权利要求10至12中任一项所述的配线基板的制造装置，其特征在于，在所述配线形成部中，通过将形成于薄膜基材上的导电箔转印至所述色粉像之上，而形成由所述导电箔图像构成且表面为导电性的配线。