[发明专利]晶圆处理装置

权利要求书

1.一种晶圆处理装置，其特征在于：包含：一反应腔体，具有一顶部与一底部，该反应腔体包含一环型内壁与一外壁，该顶部、该底部和该环型内壁定义一反应腔室，该环型内壁和该外壁之间具有一环型抽气通道，该环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有复数个方向片段，该复数方向片段定义一排气路径，该排气路径的长度大于该环型内壁的厚度；

一晶圆承载台；以及

一喷淋板，与该晶圆承载台相对并定义一反应区域，

其中，该环型内壁包含一上部组件和一下部组件，该上部组件与该下部组件彼此耦合。

2.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：该上部组件和该下部组件其中之一具有复数个衔接部，以支撑该上部组件并形成该复数个狭缝。

3.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：其中该复数个狭缝的每一者具有一第一方向片段、一第二方向片段和一第三方向片段，该第一方向片段和该第二方向片段彼此连接且相互垂直，该第二方向片段和该第三方向片段彼此连接且相互垂直。

4.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：其中该复数个狭缝的每一者具有一第一方向片段、一第二方向片段和一第三方向片段，该第一方向片段和该第二方向片段彼此连接且两者之间具有小于90度之一夹角，该第二方向片段和该第三方向片段彼此连接且两者之间具有小于90度之一夹角。

5.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：其中该环型内壁的该狭缝具有一内部开口和一外部开口，且该内部开口和该外部开口高度皆为0.5mm至2.0mm。

6.一种晶圆处理装置，其特征在于：包含：一反应腔体，具有一顶部与一底部，该反应腔体包含一环型内壁与一外壁，该顶部、该底部和该环型内壁定义一反应腔室，该环型内壁和该外壁之间具有一环型抽气通道，该环型内壁具有复数个狭缝，每一狭缝具有靠近该反应腔室的一内部开口和靠近该环型抽气通道的一外部开口，且该内部开口的高度大于该外部开口高度，使该内部开口和该外部开口之间具有大于该环型内壁厚度的一排气路径；

一晶圆承载台；以及

一喷淋板，与该晶圆承载台相对且定义一反应区域，

其中，该环型内壁包含一上部组件和一下部组件，该上部组件与该下部组件彼此耦合。

7.如权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于：该上部组件和该下部组件其中之一具有复述个衔接部，以支撑该上部组件并形成该复数个狭缝。

8.如权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于：其中该内部开口的高度最小为0.5mm，该外部开口高度最大为2.0mm。