[发明专利]晶圆处理装置有效

专利信息
申请号: 201910173839.8 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN109920717B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 李晶;荒见淳一 申请(专利权)人: 拓荆科技股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 甄玉荃
地址: 110179 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【说明书】:

一种晶圆处理装置,包含反应腔体、晶圆承载台和喷淋板,其中反应腔体具有顶部与底部,反应腔体包含环型内壁与外壁,顶部、底部和环型内壁定义一反应腔室,环型内壁和外壁之间具有环型抽气通道,环型内壁具有复数个狭缝,每一狭缝具有复数个方向片段,复数方向片段定义一排气路径,排气路径的长度大于环型内壁的厚度;喷淋板与晶圆承载台相对并定义一反应区域。

技术领域

发明是有关于一种涉及半导体制程设备的晶圆处理装置,特别是涉及一种具有复数个狭缝的环型内壁的反应腔体的晶圆处理装置。

背景技术

在半导体制程设备中,将晶圆以机械手臂送入反应腔体内后进行处理加工。进行晶圆处理加工时需要在真空压力下进行,反应腔体的环型内壁上具有孔洞,以将反应气体排出至排气区域使得反应腔体达到真空环境。

为了将反应气体排出及屏蔽等离子体泄漏的情形,将等离子体反应区域和排气区域之间的泵送端口(pumping port)的直径缩小,虽然可以获得相同的流动截面和屏蔽等离子体泄漏,但是变得容易有副产物堵塞在大量的小孔中。

发明内容

鉴于此,本发明揭露为一种经过改良的晶圆处理装置。

根据本发明揭露的一实施方式,一种晶圆处理装置,包含反应腔体、晶圆承载台和喷淋板,其中反应腔体具有顶部与底部,反应腔体包含环型内壁与外壁,顶部、底部和环型内壁定义一反应腔室,环型内壁和外壁之间具有环型抽气通道,环型内壁具有复数个狭缝,每一狭缝具有复数个方向片段,复数方向片段定义一排气路径,排气路径的长度大于环型内壁的厚度;喷淋板与晶圆承载台相对并定义一反应区域。

在一实施例中,环型内壁包含上部组件和下部组件,上部组件与下部组件彼此耦合。

在一实施例中,上部组件和下部组件其中之一具有复数个衔接部,以支撑上部组件并形成复数个狭缝。

在一实施例中,复数个狭缝的每一者具有第一方向片段、第二方向片段和第三方向片段,第一方向片段和第二方向片段彼此连接且相互垂直,第二方向片段和第三方向片段彼此连接且相互垂直。

在一实施例中,复数个狭缝的每一者具有第一方向片段、第二方向片段和第三方向片段,第一方向片段和第二方向片段彼此连接且两者之间具有小于90度之夹角,第二方向片段和第三方向片段彼此连接且两者之间具有小于90度之夹角。

在一实施例中,环型内壁的狭缝具有内部开口和外部开口,且内部开口和外部开口高度皆为0.5mm至2.0mm。

根据本发明揭露的另一实施方式,一种晶圆处理装置,包含反应腔体、晶圆承载台和喷淋板,其中反应腔体具有顶部与底部,反应腔体包含环型内壁与外壁,顶部、底部和环型内壁定义一反应腔室,环型内壁和外壁之间具有环型抽气通道,环型内壁具有复数个狭缝,每一狭缝具有靠近反应腔室的内部开口和靠近环型抽气通道的外部开口,且内部开口的高度小于外部开口高度,使内部开口和外部开口之间具有大于环型内壁厚度的排气路径;喷淋板与晶圆承载台相对并定义一反应区域。

在另一实施例中,环型内壁包含上部组件和下部组件,上部组件与下部组件彼此耦合。

在另一实施例中,上部组件和下部组件其中之一具有复数个衔接部,以支撑上部组件并形成复数个狭缝。

在另一实施例中,内部开口的高度最小为0.5mm,外部开口高度最大为2.0mm。

在本揭露的上述的实施例中,排气路径的长度大于环型内壁的厚度,以阻止等离子体泄漏,并且可以在将反应腔体内的气体抽至环形抽气通道时,更佳地抑制反应腔体的抽气速度和控制反应腔体的压力。

对于相关领域一般技术者而言这些与其他的观点与实施例在参考后续详细描述与伴随图示之后将变得明确。

附图说明

图中所示之结构大小比例并不限制本发明的实际实施例。

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