[发明专利]可变衰减器在审
申请号: | 201910174529.8 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN110247635A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 近藤诚 | 申请(专利权)人: | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
主分类号: | H03G1/00 | 分类号: | H03G1/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李铭;卢吉辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输线 可变衰减器 晶体管 电流端子 输入端口 衰减单元 地线 耦接 输出端口连接 电容器 电感 频带操作 输出端口 谐振频率 电感器 可用 | ||
1.一种用于具有至少10GHz的较低范围的频带的可变衰减器,包括:
输入端口和输出端口;
第一传输线,其将所述输入端口与所述输出端口连接;
衰减单元,其设置在所述第一传输线和地线之间,所述衰减单元包括至少一个晶体管,所述晶体管具有分别与所述第一传输线和所述地线耦接的两个电流端子;以及
第二传输线,其连接在所述晶体管的所述两个电流端子之间,所述第二传输线用作所述频带中的电感器,
其中,所述晶体管和所述第二传输线引起由所述晶体管的所述两个电流端子之间的电容器和归因于所述第二传输线的所述电感器形成的谐振频率,所述谐振频率位于所述频带内。
2.根据权利要求1所述的可变衰减器,
其中,所述衰减单元包括在所述第一传输线和所述地线之间串联连接的两个或更多个晶体管,并且
其中,将所述晶体管中的一个晶体管设置在最靠近所述第一传输线的位置,该一个晶体管的所述两个电流端子之间伴有所述第二传输线。
3.根据权利要求1所述的可变衰减器,
还包括并联设置在所述第一传输线和所述地线之间且在所述输入端口和所述输出端口之间的一个或多个衰减单元,所述衰减单元各自提供至少一个晶体管,
其中,所述衰减单元中的最靠近所述输入端口设置的一个衰减单元提供所述晶体管,其中所述第二传输线连接在所述晶体管的所述两个电流端子之间。
4.根据权利要求3所述的可变衰减器,
其中,所述第一传输线在所述衰减单元之间提供传输元件。
5.根据权利要求3所述的可变衰减器,
其中,所述衰减单元中的最靠近所述输出端口设置的一个衰减单元中的所述晶体管的尺寸大于所述衰减单元中的最靠近所述输入端口设置的另一个衰减单元中的所述晶体管的尺寸。
6.根据权利要求1所述的可变衰减器,
还包括各自并联设置在所述第一传输线和所述地线之间且在所述输入端口和所述输出端口之间的一个或多个衰减单元,所述衰减单元各自提供至少一个晶体管,
其中,所述衰减单元中的最靠近所述输出端口设置的一个衰减单元提供所述晶体管,其中所述第二传输线连接在所述晶体管的所述两个电流端子之间。
7.根据权利要求6所述的可变衰减器,
其中,所述第一传输线在所述衰减单元之间提供传输元件。
8.根据权利要求6所述的可变衰减器,
其中,所述衰减单元中的最靠近所述输出端口设置的一个衰减单元中的所述晶体管的尺寸大于所述衰减单元中的最靠近所述输入端口设置的另一个衰减单元中的所述晶体管的尺寸。
9.根据权利要求1所述的可变衰减器,
还包括各自并联设置在所述第一传输线和所述地线之间且在所述输入端口和所述输出端口之间的一个或多个衰减单元,所述衰减单元各自提供至少一个晶体管,
其中,所述衰减单元中的最靠近所述输入端口设置的一个衰减单元和所述衰减单元中的最靠近所述输出端口设置的另一个衰减单元提供所述晶体管,所述晶体管各自在所述晶体管的所述两个电流端子之间伴有所述第二传输线。
10.根据权利要求9所述的可变衰减器,
其中,所述第一传输线在所述衰减单元之间提供传输元件。
11.根据权利要求9所述的可变衰减器,
其中,所述衰减单元中的最靠近所述输出端口设置的一个衰减单元中的所述晶体管的尺寸大于所述衰减单元中的最靠近所述输入端口设置的另一个衰减单元中的所述晶体管的尺寸。
12.根据权利要求11所述的可变衰减器,
其中,在最靠近所述输出端口设置的所述衰减单元中,所述晶体管和所述第二传输线引起由所述晶体管的所述两个电流端子之间的电容器和连接所述两个电流端子的所述第二传输线的电感形成的第一谐振频率,
其中,在最靠近所述输入端口设置的所述另一个衰减单元中,所述晶体管和所述第二传输线引起由所述晶体管的所述两个电流端子之间的电容器和连接所述两个电流端子的所述第二传输线的所述电感形成的第二谐振频率,并且
其中,所述第一谐振频率和所述第二谐振频率在所述频带内。
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