[发明专利]可变衰减器在审

专利信息
申请号: 201910174529.8 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN110247635A 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 近藤诚 申请(专利权)人: 住友电工光电子器件创新株式会社
主分类号: H03G1/00 分类号: H03G1/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 李铭;卢吉辉
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传输线 可变衰减器 晶体管 电流端子 输入端口 衰减单元 地线 耦接 输出端口连接 电容器 电感 频带操作 输出端口 谐振频率 电感器 可用
【说明书】:

公开了可在至少10GHz的频带操作的可变衰减器。可变衰减器包括输入端口;输出端口;将输入端口与输出端口连接的第一传输线;设置在第一传输线和地线之间的衰减单元;和第二传输线。衰减单元包括至少一个晶体管,晶体管具有分别与第一传输线和地线耦接的两个电流端子。第二传输线耦接在晶体管的两个电流端子之间。第二传输线可用作频带中的电感器。可变衰减器、晶体管和第二传输线的特征通过归因于在两个电流端子之间的电容器和第二传输线的电感引起处于频带内的谐振频率。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2018年3月8日提交的日本专利申请第2018-041658号的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及可变衰减器,特别地,本发明涉及用于射频(RF)信号的可变衰减器。

背景技术

公开号为JP2000-357927a的日本专利申请已公开了一种线性化器,其通过所谓的T型衰减器配置。具体地,其中公开的线性化器包括串联连接的第一电阻器和第二电阻器;第三电阻器,其一个端子与前两个电阻器之间的中间端子连接以形成T字符;场效应晶体管(FET),其与第三电阻器的另一端子连接并且可用作可变电阻器;以及电感器,其可用作电抗元件并且设置在FET和地线之间。公开号为JP2005-159803a的另一个日本专利申请已公开了一种适用于高频的放大器。其中公开的高频放大器包括晶体管,该晶体管在其控制端子中接收高频信号,并在其电流端子中的一个电流端子中输出放大的高频信号。高频放大器还包括设置在晶体管的控制端子和放大器的输入端子之间的可变衰减器。可变衰减器包括电容器以及在信号线和地线之间与电容器串联连接的开关晶体管。接通和断开开关晶体管,可以衰减信号线上承载的信号。

可变衰减器在本领域中已是已知的,其中可变衰减器在信号线和地线之间配置有若干晶体管,并且可通过选择要接通的晶体管来调节该可变衰减器的衰减。当所有晶体管断开时,这种衰减器优选不显示信号损失。然而,固有地归因于晶体管的寄生电容,特别是晶体管的两个电流端子之间的寄生电容,即使在晶体管断开时也可能形成从信号线到地线的泄漏通路,这使得难以实现信号线上承载的信号的无损失,或者难以减少信号线上承载的信号的损失。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种可变衰减器,其可在具有至少10GHz的最低范围的频带中操作。该可变衰减器包括输入端口、输出端口、第一传输线、衰减单元和第二传输线。第一传输线将输入端口与输出端口连接。设置在第一传输线和地线之间且在输入端口和输出端口之间的衰减单元包括至少一个晶体管,该晶体管具有分别与第一传输线和地线耦接的两个电流端子。连接在晶体管的两个电流端子之间的第二传输线用作电感器。晶体管和第二传输线引起由固有地归因于在晶体管的两个电流端子之间的电容器和归因于第二传输线的电感器形成的谐振频率。本发明的可变衰减器的特征是谐振频率设置在频带内。

附图说明

从以下参照附图对本发明优选实施例的详细描述中,将更好地理解前述和其他目的、方面和优点,其中:

图1示意性地示出了根据本发明实施例的可变衰减器的框图;

图2示意性地示出了晶体管接通和断开时晶体管的操作;

图3示出了没有提供与晶体管并联设置的传输线的可变衰减器的衰减性能;以及

图4示出了根据本发明实施例的可变衰减器的衰减性能,其中该可变衰减器提供与晶体管并联连接的传输线。

具体实施方式

接下来,将参照附图描述根据本发明的一些实施例。然而,本发明不限于这些实施例,并且具有在所附权利要求中限定的范围以及权利要求及其等同物中的元件的所有变化和修改。此外,在附图的描述中,彼此相同或相似的数字或符号将指代彼此相同或相似的元件而不重复说明。

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