[发明专利]用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统及试验方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统，其特征在于：包括：

试验箱，所述试验箱内的温度和湿度可调；

老化试验板，所述老化试验板设置在所述试验箱内，所述老化试验板上设置有若干试验工位，一个所述试验工位上对应安装一个待测半导体器件；

电源模块，所述电源模块用于试验时对安装在所述试验工位上的所述待测半导体器件施加电压，所述电源模块包括若干个输出电压不同的直流电源，所述电源模块与每块所述老化试验板之间均设置有电源档位调节装置；

保险管，所述电源模块和每个所述待测半导体器件之间均串联有所述保险管；

其中，所述保险管设置在所述试验箱外；

所述电源档位调节装置包括：

底板，所述底板上有第一表面，所述第一表面上设置有一对老化板静触头和多对电源静触头，一对所述老化板静触头包括阴极静触头和阳极静触头，所述阴极静触头与所述试验工位上的所述半导体器件的阴极连接，所述阳极静触头与所述试验工位上的所述半导体器件的阳极连接，每对所述电源静触头均包括一个正极静触头和一个负极静触头，一对所述电源静触头的正极静触头和负极静触头分别对应连接一个直流电源的正极和负极；

连接件，所述连接件设置有朝向所述第一表面的第二表面，所述第二表面上设置有一第一动触头、一第二动触头、一阴极动触头和一阳极动触头，所述第一动触头与所述阳极动触头连接，所述第二动触头与所述阴极动触头连接，所述第一动触头和第二动触头用于对应接触一对所述电源静触头的所述正极静触头和所述负极静触头，所述阳极动触头和所述阴极动触头用于对应接触所述老化板静触头的所述阳极静触头和所述阴极静触头；

其中，所述第一动触头、所述第二动触头、所述阴极动触头和所述阳极动触头均为弹片式触头，所述连接件为旋钮，所述底板上设置有一中心轴，所述中心轴和所述旋钮之间螺纹连接或所述中心轴和所述底板之间螺纹连接，使所述旋钮可通过旋转靠近或远离底板，所述老化板静触头的所述阳极静触头和所述阴极静触头以所述中心轴中心对称布置，每对所述电源静触头的所述正极静触头和负极静触头以所述中心轴中心对称布置；所述第二动触头和所述第一动触头以所述中心轴中心对称布置，所述阴极动触头和所述阳极动触头以所述中心轴对称布置，且所述阴极静触头、阳极静触头、正极静触头、一个负极静触头以所述中心轴为中心圆周均布。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统，其特征在于：所述电源档位调节装置设置在所述试验箱外。

3.根据权利要求2所述的用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统，其特征在于：所述第二表面上还设置有正极空档静触头和负极空档静触头，所述正极空档静触头用于与所述第一动触头接触，所述负极空档静触头用于与所述第二动触头接触。

4.一种用于半导体器件的高温高湿反偏试验方法，其特征在于，包括测试前准备阶段：

将待测半导体器件安装在一老化试验板的一试验工位上，

将该老化试验板安在试验箱内；

将所述试验箱内的每个待测半导体器件均连接试验外的保险管；

将每个待测半导体器件均与一电源模块连接，使所述电源模块为所述待测半导体器件供电，并使所述电源模块和每个所述待测半导体器件之间均串联有所述保险管；

所述试验方法还包括：

对所述待测半导体器件加载反偏电压，监测通过所述待测半导体器件的反向漏电电流值；

对所述待测半导体器件加载正向电压，监测通过该待测半导体器件的正向电流值，若所述正向电流值大于预设的正向电流阈值，则所述待测半导体器件正常，若所述正向电流值小于预设的所述正向电流阈值，则所述待测半导体器件异常；

其中，反偏电压的加载包括第一加载阶段和第二加载阶段，

所述第一加载阶段中，对所述待测半导体器件加载第一反偏电压；

所述第二加载阶段中，对所述待测半导体器件加载第二反偏电压；

其中，所述第一加载阶段先于所述第二加载阶段进行，且第二反偏电压大于第一反偏电压，所述第一反偏电压等于标准最大反偏试验电压。

5.根据权利要求4所述的用于半导体器件的高温高湿反偏试验方法，其特征在于：

在第二加载阶段开始前，先将试验箱内的温度加载到83～87℃，再将试验箱内的湿度加载到80～90％RH；

在第二加载阶段完成后，先去除反偏电压，再降低温度和湿度，降低湿度的速率比降低温度的速率快。