[发明专利]一种感知处理器NBTI效应延时的检测电路及其方法有效
申请号: | 201910175608.0 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN109766233B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 虞致国;刘帅;顾晓峰;魏敬和 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G01R31/26 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 感知 处理器 nbti 效应 延时 检测 电路 及其 方法 | ||
1.一种感知处理器NBTI效应延时的检测电路,包括老化探测模块(1)及老化测量模块(2),其特征在于,所述老化探测模块(1)的输入端与处理器关键路径的输出端连接,所述老化探测模块(1)的输出端通过两个多路复用器(3)与老化测量模块(2)的输入端连接,所述老化测量模块(2)的输出端输出处理器关键路径的延时量;
所述老化探测模块(1)包括主锁存器D1、从锁存器D2、从锁存器D3、反相器NOT1、反相器NOT2、与非门NAND1、与非门NAND2及与非门NAND3,关键路径输出的信号翻转信息输入到主锁存器D1的输入D端,主锁存器D1的输出QM端分别与从锁存器D2的输入D端、反相器NOT1的输入端连接,主锁存器D1的输出QMN端与反相器NOT2的输入端连接,从锁存器D2的输出Q端与从锁存器D3的输入D端连接,从锁存器D3的输出QS端与反相器NOT1的输出端分别接入与非门NAND1的输入端,从锁存器D3的输出QSN端与反相器NOT2的输出端分别接入与非门NAND2的输入端,与非门NAND1的输出端PF和与非门NAND2的输出端PR分别接入一个多路复用器(3)的输入端;所述多路复用器(3)的输出端接入与非门NAND3的输入端,所述与非门NAND3的输出端输出关键路径脉冲信号;
所述老化测量模块(2)包括环形振荡器模块(21)、延时线模块(22)和N位计数器模块(23),所述延时线模块(22)的输入端与与非门NAND3的输出端连接,所述环形振荡器模块(21)的输入端与延时线模块(22)的输出端连接,所述环形振荡器模块(21)和延时线模块(22)的输出端均与N位计数器模块(23)的输入端连接,所述N位计数器模块(23)的输出端输出处理器关键路径的延时量;
所述环形振荡器模块(21)由一个与非门和N个与门串联组成环形振荡回路,其中,与非门产生正反馈;
所述环形振荡器模块(21)的振荡周期为TRO=2Ntdelay,其中N是与门的个数,tdelay为门的传输延迟时间,通过改变电路中与门的个数可以改变电路的振荡周期;
所述延时线模块(22)由多个非门串联组成,且延时线模块(22)的频率大于环形振荡器模块(21)的振荡频率;
所述N位计数器模块(23)计算脉冲信号的延迟量,计算公式为:Pulsewidth=k*TRO+(N1-N2)*Tdelay,其中TRO为环形振荡器模块(21)的周期,Tdelay为延时线模块(22)的周期,k为N位计数器模块(23)数到脉冲边沿的个数。
2.根据权利要求1所述的一种感知处理器NBTI效应延时的检测电路,其特征在于:处理器包含多条关键路径,每条关键路径上均连接一个老化探测模块(1),每个老化探测模块(1)均通过两个多路复用器(3)与老化测量模块(2)连接。
3.根据权利要求1所述的一种感知处理器NBTI效应延时的检测电路,其特征在于:还包括控制模块(4),所述控制模块(4)分别与老化探测模块(1)、老化测量模块(2)、多路复用器(3)连接。
4.一种感知处理器NBTI效应延时的检测方法,其特征在于,所述方法应用于如权利要求1至3任一所述的感知处理器NBTI效应延时的检测电路中,其特征是,包括如下步骤:
步骤一: 将处理器每条关键路径末端的触发器与一个老化探测模块(1)连接,获得该关键路径的信号翻转信息;
步骤二:将每个老化探测模块(1)均与两个多路复用器(3)连接,多路复用器(3)接收老化探测模块(1)输出的信息,并根据控制模块(4)输出控制使能信号,判断输入哪一条路径中的信息,同时并输出该路径信息;
步骤三:将该路径信息输入与非门NAND3,通过与非门NAND3将该路径信息转换为脉冲信号,并将该脉冲信号输出给老化测量模块(2);
步骤四:将脉冲信号输入延时线模块(22),通过延时线模块(22)将脉冲信息完整的传递到N位计数器模块(23),同时通过环形振荡器模块(21)和N位计数器模块(23)计算量化路径的延时时间。
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