[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体，且

所述积层体包含：

第1铁磁体，设置在所述非磁性体上，根据所施加的电流保持不同的电阻；

反铁磁体，与所述第1铁磁体交换耦合；及

所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体具有0.1纳米以上0.3纳米以下的膜厚。

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体具有非晶质结构。

4.根据权利要求3所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体具有软磁性。

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体具有与所述第1铁磁体相同的晶体结构。

6.根据权利要求5所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体具有硬磁性。

7.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体含有选自钴(Co)、铁(Fe)、镍(Ni)、及锰(Mn)中的至少一种元素。

8.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体还含有选自铌(Nb)、锆(Zr)、钽(Ta)、钛(Ti)、铪(Hf)、硅(Si)、及钆(Gd)中的至少一种元素。

9.根据权利要求8所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体含有选自钴钛(CoTi)、钴铪(CoHf)、钴锆(CoZr)、镍铌(NiNb)、镍锆(NiZr)、镍钽(NiTa)、镍钛(NiTi)、镍铪(NiHf)、锰硅(MnSi)、及锰钆(MnGd)中的至少一种合金。

10.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中

所述第2铁磁体还含有硼(B)。

11.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述反铁磁体含有镍锰(NiMn)、或钯锰(PdMn)。

12.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述反铁磁体具有与所述第1铁磁体不同的晶体结构。

13.根据权利要求12所述的磁存储装置，其中

所述第1铁磁体具有与所述非磁性体相同的晶体结构。

14.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述磁阻效应元件还包含所述非磁性体上的所述第1铁磁体的相反侧的第3铁磁体，且

所述第1铁磁体、所述非磁性体、及所述第3铁磁体构成磁隧道结。

15.根据权利要求14所述的磁存储装置，其中

所述第3铁磁体的磁化大于所述积层体的磁化。

16.根据权利要求1所述的磁存储装置，其具备存储单元，所述存储单元包含所述磁阻效应元件、及连接于所述磁阻效应元件的选择器。