[发明专利]磁存储装置在审

申请号：	201910176190.5	申请日：	2019-03-08
公开（公告）号：	CN110880343A	公开（公告）日：	2020-03-13
发明（设计）人：	岩崎刚之;村山昭之;甲斐正;大坊忠臣;远藤将起;大岭俊平;五十岚太一;伊藤顺一	申请（专利权）人：	东芝存储器株式会社
主分类号：	G11C11/15	分类号：	G11C11/15;H01L21/00;H01L43/00
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	杨林勳
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	存储装置
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【说明书】：

一实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体，且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻，根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-167224号(申请日：2018年9月6日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及一种磁存储装置。

背景技术

已知使用磁阻效应元件作为存储元件的磁存储装置(MRAM：MagnetoresistiveRandom Access Memory(磁阻式随机访问存储器))。

发明内容

实施方式提供一种能够抑制写入电流的增加并且提高保存性的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，该磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体，且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻，根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。

附图说明

图1是用来说明第1实施方式的磁存储装置的构成的框图。

图2是用来说明第1实施方式的磁存储装置的存储单元阵列的构成的电路图。

图3是用来说明第1实施方式的磁存储装置的存储单元阵列的构成的剖视图。

图4是用来说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的构成的剖视图。

图5是用来说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件中的存储层的磁特性的图。

图6是用来说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图7是用来说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图8是用来说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图9是用来说明第1实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图10是用来说明第2实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的构成的剖视图。

图11是用来说明第2实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的制造方法的示意图。