[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1存储单元，能够保存第1数据；以及

控制电路，构成为在所述第1存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第1存储单元的源极施加第1电压，在所述第1存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第1存储单元的源极施加比所述第1电压低的第2电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制电路构成为，在所述读取动作中对所述第1存储单元的栅极施加第3电压，在所述验证动作中对所述第1存储单元的栅极施加与所述第3电压相同大小的第4电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具备能够保存所述第1数据的第2存储单元；且

所述控制电路构成为，

在所述第1存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第1存储单元的栅极施加第3电压，在所述第2存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第2存储单元的栅极施加与所述第3电压相同大小的第5电压，在所述第2存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第2存储单元的源极施加与所述第1电压不同大小的第6电压，或者构成为，

在所述第1存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第1存储单元的栅极施加第4电压，在所述第2存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第2存储单元的栅极施加与所述第4电压相同大小的第7电压，在所述第2存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第2存储单元的源极施加与所述第2电压不同大小的第8电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具备能够保存所述第1数据的第2存储单元；且

所述控制电路构成为，

在所述第2存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第2存储单元的源极施加与所述第1电压相同大小的第6电压，在所述第1存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第1存储单元的栅极施加第3电压，在所述第2存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第2存储单元的栅极施加与所述第3电压不同大小的第5电压，或者构成为，

在所述第2存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第2存储单元的源极施加与所述第2电压相同大小的第8电压，在所述第1存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第1存储单元的栅极施加第4电压，在所述第2存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第2存储单元的栅极施加与所述第4电压不同大小的第7电压。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第1存储单元能够保存与所述第1数据不同的第2数据；

所述控制电路构成为，

在所述第1存储单元的所述第2数据的读取动作中对所述第1存储单元的源极施加第9电压，在所述第1存储单元的所述第2数据的验证动作中对所述第1存储单元的源极施加比所述第9电压低的第10电压，

在所述第1存储单元的所述第2数据的读取动作中对所述第1存储单元的栅极施加第11电压，在所述第1存储单元的所述第2数据的验证动作中对所述第1存储单元的栅极施加与所述第11电压相同大小的第12电压；且

所述第1电压及所述第2电压的差与所述第9电压及所述第10电压的差为不同的大小。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1存储单元能够保存与所述第1数据不同的第2数据；

所述控制电路构成为，在所述第1存储单元的所述第2数据的读取动作中对所述第1存储单元的源极施加第9电压，在所述第1存储单元的所述第2数据的验证动作中对所述第1存储单元的源极施加比所述第9电压低的第10电压；

所述第1电压与所述第9电压为相同大小；

所述第2电压与所述第10电压为相同大小；

所述控制电路构成为，在所述第1存储单元的所述第1数据的读取动作中对所述第1存储单元的栅极施加第3电压，在所述第1存储单元的所述第1数据的验证动作中对所述第1存储单元的栅极施加第4电压，在所述第1存储单元的所述第2数据的读取动作中对所述第1存储单元的栅极施加第11电压，在所述第1存储单元的所述第2数据的验证动作中对所述第1存储单元的栅极施加第12电压；且

所述第3电压及所述第4电压的差与所述第11电压及所述第12电压的差为不同的大小。