[发明专利]半导体芯片的封装方法有效
| 申请号： | 201910176971.4 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN111668110B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 周辉星 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 方法 | ||
1.一种半导体芯片的封装方法，该封装方法包括：
在已制作好半导体芯片的晶圆的正面形成第一预设厚度的保护层，后续利用所述保护层制作再布线结构，所述保护层为绝缘材料：聚酰亚胺、环氧树脂、ABF（Ajinomoto buildupfilm）或PBO（polybenzoxazole）；
在所述晶圆正面的保护层上形成开孔；
在具有所述开孔的 所述保护层远离所述晶圆的一面形成一表面层，所述表面层与所述保护层材质相同；
对形成有所述表面层的晶圆的背面减薄至预设厚度；
将减薄后具有保护层的晶圆切割成若干具有保护层的半导体芯片；
所述封装方法还包括在切割好的若干具有保护层的半导体芯片背面形成塑封层的步骤和形成所述塑封层后去除若干所述半导体芯片保护层上表面层的步骤。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，去除所述表面层的方法采用精细研磨。
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，将第一预设厚度的保护层和所述表面层在同一个工艺步骤中层压到所述晶圆的正面。
4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述开孔曝露所述晶圆上半导体芯片正面的电性引出点。
5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，该封装方法还包括在所述开孔内填充导电介质。
6.如权利要求5所述的封装方法，其特征在于，该封装方法还包括在所述保护层上形成导电线层与所述开孔内的导电介质电性互连。
7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法为面板级封装。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
