[发明专利]半导体芯片的封装方法

说明书

本申请揭露了一种半导体芯片的封装方法。该封装方法包括：在已制作好半导体芯片的晶圆的正面形成第一预设厚度的保护层；在保护层远离晶圆的一面形成一表面层；对形成有表面层的晶圆的背面减薄至预设厚度；将减薄后具有保护层的晶圆切割成若干具有保护层的半导体芯片。该封装方法通过在晶圆正面的保护层上形成一表面层，通过该表面层可有效保护该晶圆正面的保护层在晶圆切割成半导体芯片的过程中不受污染或者损害，利于切割好的半导体芯片的正面附着该保护层进行入半导体芯片面板级封装。

技术领域

本申请涉及半导体领域，尤其涉及将半导体芯片进行面板级封装的方法。

背景技术

半导体制造的一个目标是生产更小的半导体器件。更小的半导体器件通常消耗更少的功率，具有更高的性能，并且可以被更高效地生产。另外，更小的半导体器件具有更小的占位面积，这为实现更小的终端产品提供了可能性。更小的半导体芯片可以通过前端工艺改进来实现，从而使半导体芯片具有更小的、更高密度的有源和无源部件。后端工艺可以通过电互连和封装材料的改进而获得具有更小占位面积的半导体封装器件。

更高效地进行半导体器件的后端封装的一种处理方法为扇出面板级封装。面板级封装的载板一般是大面积的矩形或者方形的不锈钢板或聚合物板。此处所涉及的封装一般是指对半导体芯片的裸片进行封装。请参阅图1所示晶圆1，该晶圆1上通常是呈阵列形式制作好半导体芯片，晶圆上有半导体芯片的一面称之为正面，反之则称之为晶圆的背面。为让半导体芯片封装趋于薄型化，利于后面对应的封装制程，在将晶圆1切割成半导体芯片前，需将晶圆1的背面进行打磨减薄。切割完成的半导体芯片即将会进入后续的面板级封装制程。

然而这种将此种晶圆打磨减薄、切割成半导体芯片后，该半导体芯片进入面板级封装工艺中，该半导体芯片的正面极易受到损伤和污染，进而影响该半导体芯片的封装质量或者降低封装成品率。

发明内容

本申请提供一种半导体芯片的封装方法，可以保护在晶圆切割前半导体芯片的正面不会受到污染和损伤，也可以避免半导体芯片在面板级封装中半导体芯片正面受到污染和损伤，同时以方便或者简化该半导体芯片在面板级封装中在半导体芯片正面制作再布线结构。

本申请提供了一种半导体芯片的封装方法。该封装方法包括：在已制作好半导体芯片的晶圆的正面形成第一预设厚度的保护层；在该保护层远离晶圆的一面形成一表面层；对形成有表面层的晶圆的背面减薄至预设厚度；将减薄后具有保护层的晶圆切割成若干具有保护层的半导体芯片。

进一步地，保护层为绝缘材料。该绝缘材料可以是聚酰亚胺、环氧树脂、ABF(Ajinomoto buildup film)或PBO(polybenzoxazole)。

进一步地，该表面层与保护层的材质可以不相同。该表面层为热分离膜、红外分离膜或者紫外分离膜。

该封装方法还包括在晶圆背面减薄后去除表面层的步骤。更进一步地，去除表面层的步骤采用加热或者照射红外光或照射紫外灯光的方法去除表面层。

进一步地，该表面层与保护层材质可以相同。该封装方法还包括，在切割好的若干具有保护层的半导体芯片背面形成塑封层的步骤和形成该塑封层后去除若干半导体芯片保护层上表面层步骤。进一步地，去除该表面层的方法采用精细研磨。

进一步地，将第一预设厚度的保护层和表面层在同一个工艺步骤中层压到该晶圆的正面。这样可以简化晶圆表面的保护层和表面的制作工艺。

进一步地，该封装方法还包括在晶圆正面的保护层上形成开孔，以曝露晶圆上半导体芯片正面的焊垫和/或电性引出点。这样也是方便在面板级封装过程中，直接可以在该保护层上制作半导体芯片的再布线结构，不需再进行保护层的开孔。

进一步地，该封装方法还包括在所述保护层上形成该开孔后，在该开孔内填充导电介质。

进一步地，该封装方法还包括在所述保护层上形成导电线层与所述开孔内的导电介质电性互连。