[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 201910177108.0 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN111210856A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 小林洋介 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G11C29/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
存储区域,具备多个存储单元;及
第1电路,计算检测出错误的存储单元的错误率,在所述错误率低于第1值且高于第2值的情况下,对所述存储单元进行恢复处理。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述第1电路通过重复对所述检测出错误的存储单元的写入、及对所述写入的存储单元的读出,来计算所述错误率。
3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中所述第1电路在所述错误率高于所述第1值的情况下或所述错误率低于所述第2值的情况下,不对所述存储单元进行恢复处理。
4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中所述第1电路在所述错误率低于第1值且高于第2值的情况下,在对所述检测出错误的存储单元进行的所述恢复处理的次数为2次以上的情况下,不对所述存储单元进行所述恢复处理。
5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中所述第1电路在没有从外部访问所述存储区域的情况下,对所述存储单元进行所述恢复处理,在从外部访问所述存储区域的情况下,不对所述存储单元进行所述恢复处理。
6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中所述第1电路进行多次写入作为所述恢复处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910177108.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集成电路封装体的制造方法
- 下一篇:一种可见光吸收纳米阵列及其应用