[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式的半导体存储装置具备：存储区域，具备多个存储单元；及第1电路，计算检测出错误的存储单元的错误率，在所述错误率低于第1值且高于第2值的情况下，对所述存储单元进行恢复处理。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-218538号(申请日：2018年11月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

MRAM(Magnetic Random Access Memory，磁性随机访问存储器)是存储信息的存储单元使用具有磁阻效应(magnetoresistive effect)的磁性元件的存储装置，且作为以高速动作、大容量、非易失性为特征的下一代存储装置而受到关注。此外，正研究并开发MRAM作为DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或SRAM(StaticRandom Access Memory，静态随机访问存储器)等易失性存储器的替代品。这种情况下，理想的是以与DRAM及SRAM相同的规格使MRAM动作，以便控制开发成本并顺利地进行替代。

发明内容

实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具备：存储区域，具备多个存储单元；及第1电路，计算检测出错误的存储单元的错误率，在所述错误率低于第1值且高于第2值的情况下，对所述存储单元进行恢复处理。

附图说明

图1是表示实施方式的存储器系统的图。

图2是表示实施方式的存储器系统的组的图。

图3是表示循环(写入动作的次数)与BER(Bit Error Ratio，比特差错率)的关系的图。

图4是表示膜的充电相关的循环(写入动作的次数)与BER的关系的图。

图5是表示实施方式的存储器系统的恢复处理的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。进行该说明时，在所有图中，对共通的部分标附共通的参照符号。

＜1＞实施方式

＜1-1＞存储器系统

首先，对实施方式的存储器系统进行说明。如图1所示，存储器系统具备半导体存储装置1及主机(或存储器控制器)2。本实施方式的半导体存储装置1例如为自旋转移矩型磁阻随机访问存储器(Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random AccessMemory，STT-MRAM)。

如图1所示，半导体存储装置1具备存储核心11、周边电路12。

存储核心11具备进行数据存储的多个存储单元。

周边电路12对存储核心11进行数据写入、及数据读出等。周边电路12具备用以接收指令、地址、及数据等的焊垫部。焊垫部具备多个焊垫。周边电路12经由焊垫部及控制信号线CNT而与主机2连接。此外，周边电路12经由焊垫部及指令/地址线CA＜n：0＞而与主机2连接。此外，周边电路12经由焊垫部及数据线DQ＜m：0＞而与主机2连接。n及m为自然数。

控制信号线CNT用于控制信号的收发。控制信号包含时钟信号CK/CKb、时钟使能信号CKE及芯片选择信号CS。指令/地址线CA＜n：0＞用于指令及地址的收发。DQ＜m：0＞用于半导体存储装置1与主机2之间的数据收发。