[发明专利]镀膜离子源的控制测试装置

权利要求书

1.一种镀膜离子源的控制测试装置，其特征在于，包含有设置在真空室内的石英锅，所述石英锅上连接有通过氩气的氩气管道，所述石英锅的下方还设有用于激发氩气的RF线圈，所述石英锅的上部设有栅网；

所述石英锅上还连接有正高压源、负高压源，所述正高压源和负高压源均由PLC控制器进行智能控制，所述栅网的最底层通过正高压源产生的正高压将等离子封入石英锅，所述栅网的中间层通过负高压源产生的负高压将正离子抽出并打在目标基板上；

所述PLC控制器通过RF信号源与所述RF线圈连接；

所述氩气管道上设有流量控制器，所述流量控制器与所述PLC控制器信号连接；

所述真空室还连接有真空泵，所述真空泵与所述PLC控制器信号连接。

2.根据权利要求1所述的镀膜离子源的控制测试装置，其特征在于，所述PLC控制器还连接有电流计，所述电流计用于测试正离子轰击在基板上所产生的电流。

3.根据权利要求1所述的镀膜离子源的控制测试装置，其特征在于，所述真空泵包含有相互串联的分子泵和机械泵，所述分子泵与所述真空室连通，所述分子泵通过电离规与所述PLC控制器信号连接，所述机械泵通过电阻规与所述PLC控制器信号连接。

4.根据权利要求1所述的镀膜离子源的控制测试装置，其特征在于，所述RF信号源通过阻抗匹配器与所述RF线圈连接，所述RF信号源、阻抗匹配器和离子源均由水循环冷却系统进行冷却。

5.根据权利要求1所述的镀膜离子源的控制测试装置，其特征在于，所述PLC控制器还可连接有用于显示的显示机构，所述显示机构为上位机EPICS，且上位机EPICS可对所述PLC控制器输出控制信号。