[发明专利]存储器装置及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包含：

基材，具有第一凸出部以及与所述第一凸出部相邻的第二凸出部；

第一栅极结构，位于所述基材上以及所述第一凸出部与所述第二凸出部之间；

第一氧化物层，设置于所述基材与所述第一栅极结构之间，所述第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中所述第一部分位于所述第一栅极结构与所述第一凸出部之间，所述第二部分位于所述第一栅极结构与所述第二凸出部之间，且所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，所述第一栅极结构未延伸出所述第一凸出部与所述第二凸出部；以及

介电层，位于所述第一栅极结构上，所述第一栅极结构靠近所述介电层的一端的宽度大于所述第一栅极结构远离所述介电层的一端的宽度。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一凸出部以及所述第二凸出部分别具有第一源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，所述第一氧化物层的所述第一部分以及所述第二部分分别延伸至所述第一源极/漏极区域以及所述第二源极/漏极区域的侧壁。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一氧化物层的所述第一部分延伸至所述第一栅极结构的底部。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一氧化物层的所述第一部分及所述第二部分延伸至所述介电层的侧壁。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述介电层位于所述第一氧化物层的所述第一部分与所述第二部分之间。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一凸出部以及所述第二凸出部分别具有第一源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，且所述第一氧化物层的每个所述第一及第二部分位于所述介电层与所述第一及第二源极/漏极区域中的一个之间。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述基材还包含邻近所述第二凸出部的第三凸出部，且所述存储器装置还包含：

第二栅极结构，位于所述基材上及所述第二凸出部与所述第三凸出部之间；以及

第二氧化物层，设置于所述基材与所述第二栅极结构之间，所述第二氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中所述第二氧化物层的所述第一部分及所述第二部分具有不同的厚度。

8.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第二氧化物层的所述第一部分位于所述第二栅极结构与所述第三凸出部之间，所述第二氧化物层的所述第二部分位于所述第二栅极结构与所述第二凸出部之间，且所述第二氧化物层的所述第一部分的厚度大于所述第二氧化物层的所述第二部分的厚度。

9.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第二凸出部与所述第三凸出部分别具有第三源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，且所述第二氧化物层的所述第一部分及所述第二部分分别延伸至所述第三源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域的侧壁。

10.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第一氧化物层的所述第二部分及所述第二氧化物层的所述第二部分位于所述第二凸出部相对的两侧壁上。