[发明专利]存储器装置及其形成方法

说明书

本发明公开了一种存储器装置及其形成方法，存储器装置包含基材、第一栅极结构、以及第一氧化物层。基材具有第一凸出部以及与第一凸出部相邻的第二凸出部。第一栅极结构位于基材上以及第一凸出部与第二凸出部之间。第一氧化物层设置于基材与第一栅极结构之间，第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中第一部分位于第一栅极结构与第一凸出部之间，第二部分位于第一栅极结构与第二凸出部之间，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度。凹槽阵列中的栅极引发漏极漏电流(gate induced drain leakage,GIDL)可通过较厚的第一氧化物层的第一部分及第二氧化物层的第一部分而被抑制。因此，可增进动态随机存取存储器装置的保留时间。

技术领域

本发明是关于一种存储器装置以及一种存储器装置的形成方法。

背景技术

随着集成电路的体积缩减，较小的主动区域使得凹槽阵列中漏电问题变得严重。如此一来，使得动态随机存取存储器的保留时间下降。因此，漏电问题需避免或降低以增进动态随机存取存储器的效能。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种存储器装置，其可增进动态随机存取存储器装置的保留时间。

在本发明的一些实施例中，存储器装置包含基材、第一栅极结构、以及第一氧化物层。基材具有第一凸出部以及与第一凸出部相邻的第二凸出部。第一栅极结构位于基材上以及第一凸出部与第二凸出部之间。第一氧化物层设置于基材与第一栅极结构之间，第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中第一部分位于第一栅极结构与第一凸出部之间，第二部分位于第一栅极结构与第二凸出部之间，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度。

在本发明的一些实施例中，第一凸出部以及第二凸出部分别具有第一源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，第一氧化物层的第一部分以及第二部分分别延伸至第一源极/漏极区域的侧壁以及第二源极/漏极区域的侧壁。

在本发明的一些实施例中，第一氧化物层的第一部分延伸至第一栅极结构的底部。

在本发明的一些实施例中，存储器装置还包含介电层，位于第一栅极结构上，其中第一氧化物层的第一部分及第二部分延伸至介电层的侧壁。

在本发明的一些实施例中，介电层位于第一氧化物层的第一部分与第二部分之间。

在本发明的一些实施例中，第一凸出部以及第二凸出部分别具有第一源极/漏极区域以及第二源极/漏极区域，且第一氧化物层的每个第一及第二部分位于介电层与第一及第二源极/漏极区域中的一个之间。

在本发明的一些实施例中，基材还包含邻近第二凸出部的第三凸出部，且存储器装置还包含第二栅极结构以及第二氧化物层。第二栅极结构位于基材上及第二凸出部与第三凸出部之间。第二氧化物层设置于基材与第二栅极结构之间，第二氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中第二氧化物层的第一部分及第二部分具有不同的厚度。

在本发明的一些实施例中，第二氧化物层的第一部分位于第二栅极结构与第三凸出部之间，第二氧化物层的第二部分位于第二栅极结构与第二凸出部之间，且第二氧化物层的第一部分的厚度大于第二氧化物层的第二部分的厚度。

在本发明的一些实施例中，第三凸出部具有第三源极/漏极区域，且第二氧化物层的第一部分及第二部分分别延伸至第三极/漏极区域的侧壁及第二极/漏极区域的侧壁。

在本发明的一些实施例中，第一氧化物层的第二部分及第二氧化物层的第二部分位于第二凸出部相对的两侧壁上。

本发明的另一目的为一种存储器装置的形成方法。