[发明专利]集成电路接触孔电阻测量方法在审
| 申请号： | 201910179792.6 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN109979841A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张雨田 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 目标接触孔 电阻测量 接触孔 集成电路 刻蚀 测量 填充导电材料 正反向导通 版图布局 芯片表面 可比性 电阻 | ||
1.一种集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：包含如下的步骤：
第一步，在芯片表面找到目标接触孔后，在目标接触孔周围刻蚀出一圈沟槽；
第二步，在所刻蚀形成的一圈沟槽中填充导电材料；
第三步，测量目标接触孔与沟槽之间的正反向导通电阻。
2.如权利要求1所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述的第一步中，使用聚焦离子束显微镜刻蚀沟槽。
3.如权利要求1所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述的第一步中，刻蚀的一圈沟槽为封闭的矩形，或者是开放的矩形。
4.如权利要求3所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述的第一步中，刻蚀的沟槽的深度深入到硅衬底以下至少2微米。
5.如权利要求1所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述的第一步中，所述的沟槽仅将目标接触孔以及另一参考接触孔包围在沟槽围起来的中心位置。
6.如权利要求1所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述第二步中，导电材料为金属。
7.如权利要求6所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述的金属为铂或者钨。
8.如权利要求1所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述第三步中，使用纳米探针测量接触孔与沟槽之间的电阻。
9.如权利要求1所述的集成电路接触孔电阻测量方法，其特征在于：所述的接触孔为实现金属之间互联，或者是将半导体衬底中器件进行电性引出的接触孔；所述的接触孔内填充金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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