[发明专利]晶体管及其形成方法、存储器有效
| 申请号： | 201910180494.9 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN109935636B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 孙超;许文山;田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 存储器 | ||
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底内形成有有源区和包围所述有源区的隔离区；
所述有源区包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；
栅介质层，位于所述沟道区表面；
电极层，包括完全位于所述隔离区表面的栅极延伸部、以及覆盖所述栅介质层表面且与所述栅极延伸部连接的栅极部，所述栅极延伸部围绕所述有源区设置且与所述有源区间隔开设置。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极延伸部的形状为连续的闭合图形，所述栅极部沿沟道区宽度方向的至少一端与所述栅极延伸部连接。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极延伸部为环形，所述环形的形状包括矩形环、圆形环、椭圆形环、五边形环、六边形环或八边形环中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述电极层为8字形。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极延伸部的面积大于或等于所述沟道区的面积。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述电极层的材料为多晶硅或金属。
7.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底内形成有有源区和包围所述有源区的隔离区；
在所述有源区内形成沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；
形成位于所述沟道区表面的栅介质层；
形成电极层，包括完全位于所述隔离区表面的栅极延伸部、以及覆盖所述栅介质层表面且与所述栅极延伸部连接的栅极部，所述栅极延伸部围绕所述有源区设置且与所述有源区间隔开设置。
8.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在所述衬底表面先形成所述电极层，所述电极层的栅极部下方的有源区作为所述沟道区；然后，再在所述栅极部两侧的有源区内分别形成所述源区和所述漏区。
9.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极延伸部的形状为连续的闭合图形；所述栅极部沿沟道区宽度方向的至少一端与所述栅极延伸部连接。
10.根据权利要求9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极延伸部的形状包括矩形环、圆形环、椭圆形环、五边形环、六边形环或八边形环中的任意一种。
11.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述电极层为8字形。
12.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极延伸部的面积大于或等于所述沟道区的面积。
13.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述电极层的材料为多晶硅或金属。
14.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述电极层的栅极延伸部和栅极部同时形成。
15.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的晶体管。
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