[发明专利]一种退镀液、其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910181553.4 申请日: 2019-03-11
公开(公告)号: CN109735846B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 王溯;孙红旗 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: C23F1/30 分类号: C23F1/30
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;王卫彬
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 退镀液 制备 方法 应用
【说明书】:

本发明公开了一种退镀液、其制备方法和应用。本发明的退镀液,其包括下列质量分数的组分:5%‑10%的氧化剂、1%‑5%的缓蚀剂、1%‑2%的光亮剂、1%‑5%的促溶剂、10%‑15%的加速剂、1%‑5%的活化剂、和水;氧化剂为硝酸;缓蚀剂为苯酚类化合物;光亮剂为K值小于20的聚乙烯吡咯烷酮;促溶剂为含氯化合物;加速剂为氨基磺酸和/或柠檬酸。本发明的退镀液适用范围广、退镀速度快、对基材腐蚀率低、无沉淀、稳定性好、黄烟产生量少、硝酸使用量少且损失率低,且具有非常广阔的市场应用前景。

技术领域

本发明涉及一种退镀液、其制备方法和应用。

背景技术

半导体封装后使用的电镀退锡液目前有硫酸-双氧水体系和硝酸体系,其中硝酸体系由于其更稳定高效,应用比硫酸-双氧水体系更为广泛。大部分现有的硝酸体系退镀液中硝酸含量高,且使用过程中产生大量黄烟。硝酸体系退镀液目前在朝着低硝酸、低黄烟的方向发展。

专利CN105297122B提及一种电子元器件电镀自动生产线专用退镀液。该发明中硝酸含量较高为15-35份,未解决产生黄烟的问题,且并未透露其电子元器件的镀锡基材是何种金属。

专利CN105821411A提及一种用于半导体制程的化学退镀液及其制备方法。该发明退镀液包括硝酸、硝酸铁、甲基磺酸、缓蚀剂以及去离子水,还可以包括硝酸稳定剂,但未公开其硝酸稳定剂的具体组分,且其不含硝酸稳定剂的情况下,在解决退镀过程中硝酸稳定性的问题上效果不明显。

因此,亟需开发一款适用性广,且退镀速度快、无沉淀、对基材无腐蚀、硝酸用量少、硝酸损失率低和低黄烟的退镀液。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服现有的退镀液中硝酸含量高且稳定性不理想,在使用过程中产生大量黄烟等缺陷,而提供一种退镀液、其制备方法和应用。本发明的退镀液适用范围广、退镀速度快、对基材腐蚀率低、无沉淀、稳定性好、黄烟产生量少、硝酸使用量少且损失率低,且具有非常广阔的市场应用前景。

本发明主要是通过以下技术手段解决上述技术问题的:

本发明提供了一种退镀液,其包括下列质量分数的组分:5%-10%的氧化剂、1%-5%的缓蚀剂、1%-2%的光亮剂、1%-5%的促溶剂、10%-15%的加速剂、1%-5%的活化剂、和水;

所述的氧化剂为硝酸;所述的缓蚀剂为苯酚类化合物;所述的光亮剂为K值小于20的聚乙烯吡咯烷酮;所述的促溶剂为含氯化合物;所述的加速剂为氨基磺酸和/或柠檬酸。

本发明中,所述的氧化剂的质量分数较佳地为6%-8%,更佳地为6.5%-7.5%。所述的缓蚀剂的质量分数较佳地为2%-4%,更佳地为2.5%-3.5%。所述的光亮剂的质量分数较佳地为1.2%-1.8%,更佳地为1.5%-1.6%。所述的促溶剂的质量分数较佳地为2%-4%,更佳地为3%-3.5%。所述的加速剂的质量分数较佳地为12%-14%,更佳地为13%-13.5%。所述的活化剂的质量分数较佳地为2.5%-4.5%,更佳地为3%-3.5%。

本发明所述的退镀液中,各组分的质量分数总和为100%,故所述的水的用量较佳地以补足各组分质量分数之和为100%计。

所述的苯酚类化合物较佳地为邻苯二酚和/或邻苯三酚。

所述的光亮剂较佳地为12≤K<20的聚乙烯吡咯烷酮,更佳地为K值为12、15和17的聚乙烯吡咯烷酮中一种或多种。

所述的含氯化合物较佳地为氯化钾和/或氯化钠。

所述的活化剂可为本领域常规使用的活化剂,较佳地为亚硝酸钠和/或次氯酸钠。

所述的水较佳地为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种。

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