[发明专利]柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构，其特征在于，包括交替层叠设置的无机钝化层和复合缓冲层，且所述无机钝化层的层数比所述复合缓冲层的层数多一层；所述复合缓冲层包括导热丝网层以及嵌入所述导热丝网层中的有机层；

其中，所述导热丝网层暴露于所述有机层两侧表面并与所述无机钝化层贴合；

所述导热丝网层材料为氧化石墨烯纤维，所述有机层材料包括第一有机材料和第二有机材料，

其中，所述第一有机材料为R-CONH₂，所述R选自取代或未取代的C1～C18的烷基、取代或未取代的C2～C18的烯基、取代或未取代的C2～C18的炔基、取代或未取代的C1～C18的环烷基、取代或未取代的C1～C18的烷氧基、取代或未取代的C3～C8的杂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基中的一种。

2.根据权利要求1所述的柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构，其特征在于，所述复合缓冲层中，所述氧化石墨烯纤维：所述第一有机材料：所述第二有机材料的质量比为1：（0.1～0.5）：（20～100）。

3.根据权利要求2所述的柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构，其特征在于，所述氧化石墨烯纤维的直径为20～50nm，长度为500～2000nm。

4.根据权利要求3所述的柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构，其特征在于，所述第二有机材料选自聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构，其特征在于，所述无机钝化层材料选自Al₂O₃、TiO₂、SiN_x、SiO_x、SiO_xN_y、SiCN_x、ZrO₂、非晶碳中的至少一种。

6.根据权利要求1-5任一所述的柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构，其特征在于，所述复合缓冲层的层数为1～4层，每层所述复合缓冲层的厚度为4～8μm；所述无机钝化层的层数为2～5层，每层所述无机钝化层的厚度为0.5～1μm。

7.一种如权利要求1-6任一所述的柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供含有OLED显示层的柔性基板，在柔性基板和OLED显示层上形成第一层无机钝化层；

（2）将氧化石墨烯纤维、第一有机材料、第二有机材料以及溶剂按照质量比1：（0.1～0.5）：（20～100）：（200～500）混合，旋转涂布在步骤（1）中的第一层所述无机钝化层上，烘烤，形成第一层复合缓冲层；

（3）在步骤（2）的第一层所述复合缓冲层上依次按照步骤（1）制备第二层所述无机钝化层，按照步骤（2）制备第二层所述复合缓冲层，最终形成所需层数的交替层叠设置的所述无机钝化层和所述复合缓冲层，并使所述钝化层的层数比所述复合缓冲层的层数多一层，得到柔性OLED显示用高阻隔高导热封装结构。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丁酮、四氢呋喃、二甲亚砜、丙二醇甲醚、环己醇中的至少一种；

所述烘烤温度为140～160℃，所述烘烤时间为20～40分钟。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述无机钝化层的制备方法为化学气相沉积法或原子气相沉积法；

第一层所述无机钝化层的成膜温度为115～125℃，其余各层所述无机钝化层的成膜温度为180～200℃。