[发明专利]一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法

权利要求书

1.一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：确定待测器件中包含寄生电感的端口；

S02：针对每一个含有寄生电感的端口，构建其对应的端口辅助结构，具体包括：保留该端口的通路连接，并对该通路连接做镜像，形成镜像通路连接，所述通路连接和镜像通路连接通过连接区域相连，所述通路连接、镜像通路连接和连接区域共同形成该端口对应的端口辅助结构；

S03：分别建立各端口辅助结构的子电路模型，所述子电路模型中包括串联的寄生电阻和寄生电感；

S04：获取各个端口辅助结构的S参数，并基于S参数提取对应子电路模型中的寄生电感值；即为所述待测器件中该端口对应的寄生电感值。

2.根据权利要求1所述的一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，所述待测器件为射频Varactor器件时，其包含寄生电感的端口为栅极端口和源漏极端口。

3.根据权利要求1所述的一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，所述待测器件为MOS器件时，其包含寄生电感的端口为栅极端口、源极端口和漏极端口。

4.根据权利要求1所述的一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，所述步骤S02中，对于栅极端口辅助结构，通过栅极材料将通路连接部分和镜像通路连接部分连接起来；对于源极端口辅助结构、漏极端口辅助结构以及源漏端口辅助结构，通过有源区材料将通路连接部分和镜像通路连接部分连接起来。

5.根据权利要求1所述的一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，所述连接区域的长度小于相同方向上通路连接的长度，其中，所述连接区域的长度指的是从通路连接到镜像通路连接方向上连接区域的长度。

6.根据权利要求1所述的一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，所述步骤S04中获取端口辅助结构的S参数的方法为：对该端口辅助结构进行S参数测试，获取其S参数。

7.根据权利要求1所述的一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，所述步骤S04中获取端口辅助结构的S参数的方法为：对该端口辅助结构进行电磁场仿真，获取其S参数。

8.根据权利要求1所述的一种确定端口寄生电感的方法，其特征在于，所述步骤S04中提取子电路模型中的寄生电感值的方法为：将端口辅助结构的S参数转化为Y参数，通过拟合Y参数的各个分量确定寄生电感。

9.一种确定端口寄生电感的可伸缩模型的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

T01：选取M个不同版图尺寸的待测器件，所述待测器件包括N个含有寄生电感的端口；其中，M为大于1的整数；

T02：采用权利要求1所述的方法分别确定M个待测器件中的端口寄生电感；

T03：建立每一个端口寄生电感关于版图尺寸的可伸缩方程，N个可伸缩方程形成确定寄生电感的可伸缩模型，其中，M和N均为大于1的整数。

10.根据权利要求9所述的一种确定端口寄生电感的可伸缩模型的形成方法，其特征在于，所述待测器件的版图尺寸包括栅极长度、栅极宽度和栅极叉指数。