[发明专利]多色自对准触点选择性蚀刻

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有栅极和在所述栅极上的栅极盖层，所述栅极具有第一侧和第二侧，所述基板具有邻近所述栅极的所述第一侧和所述第二侧的间隔件材料，邻近所述栅极的所述第一侧的所述间隔件材料为第一间隔件，邻近所述栅极的所述第二侧的所述间隔件材料为第二间隔件，具有源极盖层的源极材料在所述间隔件材料的邻近所述栅极的所述第一侧的相对侧上，具有漏极盖层的漏极材料在所述间隔件材料的邻近所述栅极的所述第二侧的相对侧上，并且电介质在所述源极材料与所述第一间隔件相对的侧面上并在所述漏极材料与所述第二间隔件相对的侧面上；

在所述栅极盖层、所述间隔件材料、所述源极盖层、所述漏极盖层和所述电介质的表面上形成掩模，所述掩模具有开口，所述开口暴露所述栅极盖层、所述源极盖层或所述漏极盖层中的一个或多个的表面；和

通过所述掩模中的所述开口来选择性蚀刻所述栅极盖层、所述源极盖层或所述漏极盖层中的一个或多个，以暴露所述栅极、所述源极材料或所述漏极材料中的一个或多个的顶部，从而形成间隙，

其中所述栅极盖层、所述源极盖层或所述漏极盖层中的至少一个包括一种材料，所述材料耐受使用用于所述选择性蚀刻的蚀刻条件的蚀刻。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述栅极包括金属。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述栅极盖层、所述源极盖层和所述漏极盖层中的每一个选自由以下项组成的组：Si₃N₄、Al₂O₃或ZrO₂，所述栅极盖层、所述源极盖层或所述漏极盖层中的至少一个包括与所述栅极盖层、所述源极盖层或所述漏极盖层中的其他各者中的至少一个不同的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述电介质包括可流动氧化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述源极材料包括钴。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述漏极材料包括钴。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模中的所述开口形成在所述栅极盖层以及所述源极盖层或所述漏极盖层中的一个或多个中的至少一些上方。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模中的所述开口形成在所述源极盖层或所述漏极盖层中的一个或多个以及所述栅极盖层中的至少一些上方。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔件材料包括低k电介质。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述低k电介质包括SiOC或SiOCN中的一个或多个。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模包括旋涂碳层、硬掩模和光刻胶。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述掩模。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述间隙中沉积膜。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性蚀刻通过具有大于或等于约12的选择性的蚀刻工艺来执行。