[发明专利]一种A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料、其制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201910183746.3 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109868506A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨晓明;何超;苏榕冰;龙西法 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶材料 钙钛矿型 反铁电 共掺杂 电介质 能量存储设备 物理化学性质 高温高压 极端环境 能量存储 制备 应用 保存 占据 申请 加工 | ||
1.一种A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料，其特征在于，所述A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料具有如式I所示的化学式；
(MxLayAz)(B'1/2B”1/2)O3 式I；
其中，0＜x≤0.5，0＜y≤0.5且x+y+z＝1；
A选自Pb、Ba、Ca、Sr中的至少一种；
B'选自Lu、Yb、Sc、Ho中的至少一种；
B”选自Nb、Ta中的至少一种；
M选自第一主族元素中的至少一种；M、La和A占据相同的晶体学位置。
2.根据权利要求1所述的A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料，其特征在于，所述M选自Li、Na、K、Rb、Cs中至少一种；
所述A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料的化学式为(MxLayPbz)(Lu1/2Nb1/2)O3。
3.权利要求1或2所述的A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将含有M的氧化物、La的氧化物、A源、B'的氧化物、B”的氧化物和助熔剂的混合物按照式I所示的各元素的化学计量比混合，高温溶液法生长，得到所述A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述助溶剂为复合助溶剂；
所述复合助熔剂包括Z1组分和Z2组分；Z1组分选自PbF2、PbO、Pb3O4中的至少一种；Z2组分选自H3BO3、B2O3中的至少一种；
其中，组分Z1和组分Z2的摩尔比为8:1～6:1；
所述助熔剂在所述混合物中的质量分数为87.5～90％；
所述A源选自PbO、PbF2、Pb3O4、BaCO3、CaCO3、SrCO3中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述生长的方法为自发成核生长或者顶部籽晶生长；
所述生长过程中化料的温度为900～1200℃。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
将含有M的氧化物、La的氧化物、A源、B'的氧化物、B”的氧化物和助熔剂的初始原料按照式I所示的各元素的化学计量比混合，研磨，得到初始混合物化料，恒温，降温生长，得到所述A位共掺杂的钙钛矿型反铁电单晶材料；
其中，化料的温度为900～1200℃，降温的速率为0.1～5℃/天。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在晶体生长过程中，采用铂金丝悬在熔体液面中央；
晶体生长结束，以5～40℃/h降温退火至室温。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910183746.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
