[发明专利]光罩处理方法及微影装置

说明书

本揭示揭露一种光罩处理方法及微影装置。根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含判断颗粒是否在光罩的接触表面上。若颗粒在接触表面，则光罩被清洁以由光罩的接触表面移除颗粒。在清洁光罩之后，光罩被设置于吸盘上，其中光罩的接触表面在光罩设置于吸盘上时接触吸盘。微影制程利用设置于吸盘上的光罩被执行。

技术领域

本揭示有关于一种光罩处理方法及微影装置。

背景技术

在半导体集成电路(IC)行业，IC材料和设计的技术进步已经产生了一代又一代的集成电路，每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在集成电路的发展过程中，功能密度(即，每个芯片区域的互连元件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可以使用制造过程产生最小的组件(或线))减少。这种按比例缩小的流程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这种按比例缩小也增加了集成电路加工和制造的复杂性。

微影技术形成图形化的抗蚀层，用于各种图案化工艺，例如蚀刻或离子注入等。这种微影技术所能图案化的最小特征尺寸受投射辐射源波长的限制。微影机已经从使用波长365纳米的紫外光发展到使用深紫外(DUV)光，包括248纳米的氟化氪激光(KrF激光)和193纳米的氟化氩激光(ArF激光)，以及使用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)，以提高每一步的分辨率。

发明内容

根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含：判断颗粒是否在光罩的接触表面上；若颗粒在接触表面，则清洁光罩以由光罩的接触表面移除颗粒；在清洁光罩之后将光罩设置于吸盘上，其中光罩的接触表面在光罩设置于吸盘上时接触吸盘；以及利用设置于吸盘上的光罩执行微影制程。

根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含：判断颗粒是否在光罩的接触表面上；若颗粒在接触表面，则测定颗粒的高度；判断颗粒的高度是否小于高度；若颗粒的高度小于预定高度，则将光罩设置于吸盘上，其中光罩的接触表面在光罩设置于吸盘上时接触吸盘；以及利用设置于吸盘上的光罩执行微影制程。

根据本揭示的一些实施方式，一种微影装置包含第一隔间、检测系统、测量系统、第二隔间、吸盘以及转移机构。检测系统在第一隔间内，并配置以决定颗粒是否在光罩上。测量系统在第一隔间内，并配置以在颗粒在光罩上时测定颗粒的高度。第一隔间和第二隔间共享侧壁，并且侧壁具有连通第一隔间和第二隔间的通道。吸盘在第二隔间内。转移机构配置以在吸盘、检测系统和测量系统之间转移光罩。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。注意到，各个特征并非必须按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸及几何形状。

图1是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法的流程图；

图2是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法的一操作的子操作的流程图；

图3是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法的一操作的子操作的流程图；

图4是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置的示意图；

图5是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置中的第一光学检测模块和维持在第一位置的光罩的示意图；

图6是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置中的第二光学检测模块和维持在第二位置的光罩的示意图；

图7是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置的功能方块图；

图8是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置的局部剖面示意图。

具体实施方式