[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：永久衬底，位于所述永久衬底下的P型电极层，依次位于所述永久衬底上的键合层、镜面反射层、P型层、有源层、N型层和N型电极层；

所述N型层包括与所述N型电极层接触的欧姆接触层和N型粗化层，所述N型粗化层包括与所述欧姆接触层和所述N型电极层接触的第一接触层和位于所述欧姆接触层之下且暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层；

所述P型层和所述镜面反射层的接触处包括位于所述N型电极层下方的第二粗化层和位于所述第二粗化层之外的非粗化层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二粗化层的横截面积是所述N型电极层的横截面积的0.6～1.2倍。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述镜面反射层包括金属层和位于所述金属层上的介质膜层；

所述介质膜层的第二粗化层与所述P型层的第二粗化层相匹配；

所述介质膜层的非粗化层中，设置有与所述P型层的非粗化层对应的导电孔；

所述金属层包括位于所述介质膜层下方的金属镜面层和位于所述金属镜面层上的导电柱，所述导电柱容置于所述导电孔内。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型层包括依次位于所述镜面反射层上的P型电流扩展层、P型限制层和P型波导层；

所述P型电流扩展层和所述镜面反射层的接触处形成所述第二粗化层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述N型层还包括依次位于所述有源层上的N型波导层和N型限制层，所述N型粗化层位于所述N型限制层上。

6.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在临时衬底上依次形成腐蚀停止层、N型层、有源层和P型层，所述N型层包括欧姆接触层和N型粗化层；

在所述P型层上的预定区域蚀刻第二粗化层，使得所述P型层形成具有设定横截面积的第二粗化层以及位于所述第二粗化层之外的非粗化层；

在蚀刻有第二粗化层的P型层上形成与所述粗化层相匹配的镜面反射层，在所述镜面反射层上形成键合层；

将所述键合层与永久衬底进行键合，去除所述临时衬底和所述腐蚀停止层后，对所述欧姆接触层进行蚀刻，形成位于所述第二粗化层上方且具有设定图案的欧姆接触层，使得所述具有设定图案的欧姆接触层的外围暴露所述N型层的N型粗化层；

在所述具有设定图案的欧姆接触层上形成N型电极层，使得所述N型电极层与所述欧姆接触层形成欧姆接触，并暴露所述N型粗化层的待粗化区域；

沿着所述待粗化区域进行蚀刻，形成蚀刻道，对所述N型粗化层的待粗化区域进行粗化形成暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层，在所述永久衬底背面形成P型电极层后，沿着所述蚀刻道进行切割，得到多个独立的发光二极管芯片。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述N型层还包括N型波导层和N型限制层；所述P型层包括P型电流扩展层、P型限制层和P型波导层；所述在临时衬底上依次形成腐蚀停止层、N型层、有源层和P型层，包括：

在所述腐蚀停止层上依次形成欧姆接触层、N型粗化层、N型限制层和N型波导层；

在所述N型波导层上形成所述有源层；

在所述有源层上依次形成P型波导层、P型限制层和P型电流扩展层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述P型层上的预定区域蚀刻第二粗化层，使得所述P型层形成具有设定横截面积的第二粗化层以及位于所述第二粗化层之外的非粗化层包括：

在所述P型电流扩展层上形成具有与所述预定区域对应的通孔阵列的第一光刻胶层；

在第一光刻胶层的保护下对所述P型电流扩展层进行刻蚀，形成粗化深度为500～1000nm的第二粗化层和位于所述第二粗化层之外的非粗化层，所述第二粗化层的所述设定横截面积是所述N型电极层的横截面积的0.6～1.2倍；

去除所述第一光刻胶层。