[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本申请实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，其中，该芯片包括：永久衬底，位于所述永久衬底下的P型电极层，依次位于所述永久衬底上的键合层、镜面反射层、P型层、有源层、N型层和N型电极层；所述N型层包括与所述N型电极层接触的欧姆接触层和N型粗化层，所述N型粗化层包括与所述欧姆接触层和所述N型电极层接触的第一接触层和位于所述欧姆接触层之下且暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层；所述P型层和所述镜面反射层的接触处包括位于所述N型电极层下方的第二粗化层和位于所述第二粗化层之外的非粗化层。本申请实施例提高了反极性发光二极管的发光效率。

技术领域

本申请涉及半导体发光技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管(LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对发光二极管给予厚望，将其视为新一代照明工具。

现有技术中，发光二级管芯片的结构包括垂直结构和水平结构，垂直结构又包括正极性发光二极管和反极性发光二极管，其中反极性二极管的发光亮度要高于正极性二极管，从上至下包括N型电极层、N型层、有源层P型层和反射层，为了提高发光二极管发光效率，现有技术一般通过对出光面N型层进行粗化来提高发光效率，但是有源层产生的射向N型层的光和射向P型层的光经反射层反射回来的光均在N电极下面被遮挡，最终被自身材料吸收，致使发光效率被限制，难以进一步提高。

综上，现有技术中的反极性二极管芯片存在发光效率较低的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种发光二极管芯片及其制备方法，以提高反极性发光二极管的发光效率。

本申请实施例提供了一种发光二极管芯片，包括：永久衬底，位于所述永久衬底下的P型电极层，依次位于所述永久衬底上的键合层、镜面反射层、P型层、有源层、N型层和N型电极层；

所述N型层包括与所述N型电极层接触的欧姆接触层和N型粗化层，所述N型粗化层包括与所述欧姆接触层和所述N型电极层接触的第一接触层和位于所述欧姆接触层之下且暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层；

所述P型层和所述镜面反射层的接触处包括位于所述N型电极层下方的第二粗化层和位于所述第二粗化层之外的非粗化层。

在一种实施方式中，所述第二粗化层的横截面积是所述N型电极层的横截面积的0.6～1.2倍。

在一种实施方式中，所述第二粗化层的粗化深度为500～1000nm。

在一种实施方式中，所述镜面反射层包括金属层和位于所述金属层上的介质膜层；

所述介质膜层的第二粗化层与所述P型层的第二粗化层相匹配；

所述介质膜层的非粗化层中，设置有与所述P型层的非粗化层对应的导电孔；

所述金属层包括位于所述介质膜层下方的金属镜面层和位于所述金属镜面层上的导电柱，所述导电柱容置于所述导电孔内。

在一种实施方式中，所述介质膜层的厚度为1000～2000nm。

在一种实施方式中，所述P型层包括依次位于所述镜面反射层上的P型电流扩展层、P型限制层和P型波导层；

所述P型电流扩展层和所述镜面反射层的接触处形成所述第二粗化层。

在一种实施方式中，所述N型层还包括依次位于所述有源层上的N型波导层和N型限制层，所述N型粗化层位于所述N型限制层上。

第二方面，本申请实施例提供了一种发光二极管芯片的制备方法，包括：