[发明专利]考虑距离的薄膜封装的MEMS器件组件及电子设备在审

专利信息
申请号: 201910186409.X 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN111010110A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 张孟伦;庞慰;杨清瑞 申请(专利权)人: 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/24;H03H9/46
代理公司: 北京金诚同达律师事务所 11651 代理人: 汤雄军
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 考虑 距离 薄膜 封装 mems 器件 组件 电子设备
【权利要求书】:

1.一种MEMS器件组件,包括:

MEMS器件,具有功能部件、声学镜和封装表面,所述声学镜具有边界,所述功能部件与所述声学镜在器件的厚度方向上至少部分重叠;

封装薄膜,设置于所述封装表面,用于形成封装所述MEMS器件的功能部件的封装空间,所述封装空间具有封装边缘,

其中:

所述封装边缘与所述边界之间的横向距离在0.5微米-20微米的范围内。

2.根据权利要求1所述的组件,其中:

所述功能部件与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。

3.根据权利要求2所述的组件,其中:

所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极;且

所述顶电极与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。

4.根据权利要求2所述的组件,其中:

所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极,所述顶电极设置有悬翼结构;且

所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的组件,其中:

所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极,所述顶电极设置有形成桥部结构的电连接部;且

所述桥部结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。

6.根据权利要求5所述的组件,其中:

所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-20微米的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的组件,其中:

所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极,所述顶电极的一侧设置有悬翼结构,另一侧设置有形成桥部结构的电连接部;且

所述桥部结构以及所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离均在0.1微米-10微米的范围内。

8.根据权利要求7所述的组件,其中:

所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-10微米的范围内。

9.根据权利要求1或2所述的组件,其中:

所述功能部件包括设置于其上的附加结构;

所述功能部件的附加结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。

10.根据权利要求9所述的组件,其中:

所述附加结构包括凸起结构、凸凹结构或附加涂层。

11.根据权利要求1或2所述的组件,其中:

所述封装空间为弧形空间,所述封装薄膜与所述封装表面形成的夹角在5度-60度的范围内。

12.根据权利要求1所述的组件,其中:

所述声学镜为空腔结构;

所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔,所述第一释放孔位于所述封装空间内;

所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔,第二释放孔中填充有密封材料;且

在垂直投影中,至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um。

13.根据权利要求12所述的组件,其中:

在垂直投影中,所述第二释放孔与对应的第一释放孔重合或者部分重合。

14.根据权利要求1所述的组件,其中:

所述声学镜为空腔结构;

所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔,所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧;

所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔,第二释放孔中填充有密封材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司,未经天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910186409.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top