[发明专利]考虑距离的薄膜封装的MEMS器件组件及电子设备在审
申请号: | 201910186409.X | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN111010110A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 张孟伦;庞慰;杨清瑞 | 申请(专利权)人: | 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/24;H03H9/46 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 考虑 距离 薄膜 封装 mems 器件 组件 电子设备 | ||
1.一种MEMS器件组件,包括:
MEMS器件,具有功能部件、声学镜和封装表面,所述声学镜具有边界,所述功能部件与所述声学镜在器件的厚度方向上至少部分重叠;
封装薄膜,设置于所述封装表面,用于形成封装所述MEMS器件的功能部件的封装空间,所述封装空间具有封装边缘,
其中:
所述封装边缘与所述边界之间的横向距离在0.5微米-20微米的范围内。
2.根据权利要求1所述的组件,其中:
所述功能部件与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
3.根据权利要求2所述的组件,其中:
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极;且
所述顶电极与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
4.根据权利要求2所述的组件,其中:
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极,所述顶电极设置有悬翼结构;且
所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
5.根据权利要求1或2所述的组件,其中:
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极,所述顶电极设置有形成桥部结构的电连接部;且
所述桥部结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
6.根据权利要求5所述的组件,其中:
所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-20微米的范围内。
7.根据权利要求1或2所述的组件,其中:
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极,所述顶电极的一侧设置有悬翼结构,另一侧设置有形成桥部结构的电连接部;且
所述桥部结构以及所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离均在0.1微米-10微米的范围内。
8.根据权利要求7所述的组件,其中:
所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-10微米的范围内。
9.根据权利要求1或2所述的组件,其中:
所述功能部件包括设置于其上的附加结构;
所述功能部件的附加结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
10.根据权利要求9所述的组件,其中:
所述附加结构包括凸起结构、凸凹结构或附加涂层。
11.根据权利要求1或2所述的组件,其中:
所述封装空间为弧形空间,所述封装薄膜与所述封装表面形成的夹角在5度-60度的范围内。
12.根据权利要求1所述的组件,其中:
所述声学镜为空腔结构;
所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔,所述第一释放孔位于所述封装空间内;
所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔,第二释放孔中填充有密封材料;且
在垂直投影中,至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um。
13.根据权利要求12所述的组件,其中:
在垂直投影中,所述第二释放孔与对应的第一释放孔重合或者部分重合。
14.根据权利要求1所述的组件,其中:
所述声学镜为空腔结构;
所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔,所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧;
所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔,第二释放孔中填充有密封材料。
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