[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法,所述半导体器件包括双极晶体管和互补金属氧化物半导体，所述双极晶体管为垂直型晶体管，所述互补金属氧化物半导体包括衬底中的源极区、衬底中的漏极区、所述源极区和漏极区之间的隔离结构、所述隔离结构上的栅极，所述制造方法包括基区光刻步骤和基区注入步骤，其特征在于，所述基区光刻步骤形成的注入窗口包括第一窗口和第二窗口，所述第一窗口露出所述隔离结构；所述基区注入步骤注入的第二导电类型杂质穿过所述第一窗口从而增大所述隔离结构下方的第二导电类型杂质浓度，并穿过所述第二窗口形成所述双极晶体管的基区；

所述基区光刻步骤之前还包括：

获得衬底，所述衬底中形成有第一导电类型阱区和第二导电类型阱区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；

形成所述隔离结构；

所述基区注入步骤，是在所述第一导电类型阱区中形成所述基区，所述增大所述隔离结构下方的第二导电类型杂质浓度是增大所述第二导电类型阱区中相应位置的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述隔离结构之前，还包括对所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区进行加热推阱的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基区注入是分多步进行的杂质离子注入。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基区注入步骤之后，还包括：

在所述衬底表面生长栅氧化层；

在所述栅氧化层上淀积多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层形成栅极；

对所述衬底进行轻掺杂漏注入；

在所述栅极的两侧形成侧墙。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极的两侧形成侧墙的步骤之后，还包括：

进行第一导电类型杂质注入，在所述基区内形成所述双极晶体管的发射极，在第二导电类型阱区内形成所述互补金属氧化物半导体的源极和漏极。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离结构为场氧化层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述隔离结构的步骤包括：

在所述衬底上形成氮化硅层；

光刻并刻蚀所述氮化硅层；

在所述衬底被刻蚀掉氮化硅层的位置形成场氧层；

去除剩余的氮化硅层。