[发明专利]多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1.将ITO导电玻璃清洗烘干后作为阳极基底；

步骤2.制备空穴传输层

在阳极基底上滴加PEDOT:PSS溶液，进行旋涂，然后进行退火处理，得到空穴传输层；

步骤3.配置前驱体溶液

通过PbBr₂与CH₃NH₃Br制备CH₃NH₃PbBr₃前驱体溶液；

步骤4.制备钙钛矿发光层

将前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，然后进行退火处理，得到第一钙钛矿层；增加转速，在第一钙钛矿层的顶部旋涂，然后进行退火处理，得到第二钙钛矿层；按照该方式，依次增加转速，逐层进行旋涂和退火处理，获得包含至少三层钙钛层的钙钛矿发光层；

步骤5.制备电子传输层

在高真空下，于钙钛矿发光层的上方蒸镀TPBI，得到电子传输层；

步骤6.制备电子注入层

在高真空下，于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电子注入层；

步骤7.制备阴极

于电子注入层上蒸镀一定厚度的阴极。

2.根据权利要求1所述的多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤1中，是将ITO导电玻璃用丙酮、乙醇、去离子水在60～100赫兹超声条件下各清洗5～100分钟，然后使用惰性气体的气枪进行吹干，接着进行5～10分钟的氧气等离子体表面清洗处理。

3.根据权利要求1所述的多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤2中，是将PEDOT:PSS溶液置于ITO导电玻璃表面上，设置旋涂速度为8000r/min，旋涂时长为30～45s，获得一层PEDOT:PSS薄膜，然后进行退火温度为150℃、退火时间为15分钟的退火处理。

4.根据权利要求1所述的多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤3中，CH₃NH₃Br：PbBr₂摩尔比为2:1，前驱体溶液中溶质CH₃NH₃Br和PbBr₂的总含量为5wt.％，

将溶质加入溶剂中后，在60℃条件下进行搅拌，转速为500r/min，搅拌时长为12h。

5.根据权利要求1所述的多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤4中，第一钙钛矿层的旋涂速度为2000r/min，旋涂时长为30～45s，退火温度为80℃，退火时间为10min；待冷却后，进行后续各层的旋涂操作，并且每旋涂一层，旋涂速度递增2000r/min，退火处理条件与第一钙钛矿层相同。

6.根据权利要求1所述的多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤4中，钙钛矿发光层包含三层钙钛矿层：第一钙钛矿层的旋涂速度为2000r/min，旋涂时长为45s，退火温度为80℃，退火时间为10min；第二钙钛矿层的旋涂速度为4000r/min，旋涂时长为45s，退火温度为80℃，退火时间为10min；第三钙钛矿层的旋涂速度为6000r/min，旋涂时长为45s，退火温度为80℃，退火时间为10min。

7.根据权利要求1所述的多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤5中，是采用物理气相沉积法蒸镀电子传输层TPBI，厚度为30nm，蒸镀速率为

8.根据权利要求1所述的多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤6中，是采用物理气相沉积法蒸镀空穴传输层LiF，厚度为0.5nm，蒸镀速率为