[发明专利]多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201910188911.4 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN109904334A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 周远明;梅思炯;刘能;石五行;孙东伟;梅菲 | 申请(专利权)人: | 湖北工业大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 俞琳娟 |
地址: | 430068 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 旋涂 退火 制备 电子传输层 电子注入层 发光二极管 空穴传输层 前驱体溶液 阳极 钙钛矿层 发光层 高真空 多层 基底 蒸镀 有机-无机杂化 阴极 热蒸发沉积 退火处理 无机杂化 第一层 烘干 滴加 钙钛 甲胺 三层 清洗 | ||
本发明提供多层有机‑无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法,方法包括:步骤1.将ITO导电玻璃清洗后烘干作为阳极基底;步骤2.在阳极基底上滴加PEDOT:PSS溶液,旋涂,然后退火,得到空穴传输层;步骤3.制备甲胺溴铅前驱体溶液;步骤4.将前驱体溶液旋涂在空穴传输层上,退火,得到第一钙钛矿层;增加转速,在第一层顶部旋涂,退火,得到第二钙钛矿层;依次增加转速,逐层进行旋涂和退火处理,获得包含至少三层钙钛层的钙钛矿发光层;步骤5.在高真空下,于钙钛矿发光层的上方蒸镀TPBI,得到电子传输层;步骤6.在高真空下,于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电子注入层;步骤7.于电子注入层上蒸镀一定厚度的阴极。
技术领域
本发明属于电致发光器件领域,具体涉及一种多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法。
技术背景
钙钛矿是指具有ABX3构型的晶体材料。目前,应用于太阳能电池的钙钛矿分子是一种长程有序的有机-无机杂化结构,A、B和X分别代表一价有机阳离子(MA:CH3NH3+,FA:NH2CH=NH2+,Cs+)、二价金属阳离子(Pb2+,Sn2+)和卤素阴离子(Cl-,Br-,I-)。这种有机金属卤化物钙钛矿材料具有消光系数高、载流子迁移率高、载流子寿命长、激子束缚能低、以及双极性传输等优异特性,使其在工作过程中能够充分地吸收太阳光,并且降低在光电转换过程中的能量损失,因而在廉价太阳能电池、发光二极管、光电探测器、激光器、薄膜晶体管等方面都具有很好的发展前景。其中,因具有发光效率高、发光谱线窄、载流子迁移率高以及能带可调等优点,钙钛矿材料可应用于可见光波段的电致发光器件并受到广泛的关注。
然而,器件中钙钛矿层覆盖率低、平整度低造成严重的非辐射漏电流的产生,因此钙钛矿薄膜的质量决定着钙钛矿发光二极管性能。如何制备光滑、覆盖率高钙钛矿薄膜对于钙钛矿发光二极管而言变得至关重要,决定着器件的发光强度和外量子效率。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而进行的,目的在于出一种多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法,能够获得小颗粒并且高覆盖率平整的钙钛矿薄膜,有效提高发光二极管的发光强度和外量子效率。本发明为了实现上述目的,采用了以下方案:
<制备方法>
本发明提供一种多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1.将氧化铟锡(ITO)导电玻璃进行标准化清洗后烘干并将其作为阳极基底;步骤2.制备空穴传输层:在阳极基底上滴加聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)溶液,进行旋涂,然后进行退火处理,得到空穴传输层;步骤3.配置前驱体溶液:通过PbBr2与CH3NH3Br制备甲胺溴铅(CH3NH3PbBr3)前驱体溶液;步骤4.制备钙钛矿发光层:将前驱体溶液旋涂在空穴传输层上,然后进行退火处理,得到第一钙钛矿层;增加转速,在第一钙钛矿层的顶部旋涂,然后进行退火处理,得到第二钙钛矿层;按照该方式,依次增加转速,逐层进行旋涂和退火处理,获得包含至少三层钙钛层的钙钛矿发光层;步骤5.制备电子传输层:在高真空下,于钙钛矿发光层的上方蒸镀1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI),得到电子传输层;步骤6.制备电子注入层:在高真空下,于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电子注入层;步骤7.制备阴极:于电子注入层上蒸镀一定厚度的阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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