[发明专利]氧化物绝缘体膜形成用涂布液

权利要求书

1.一种氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其含有：闪点低于21℃的含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，

所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，

所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。

2.根据权利要求1所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为40℃以上。

3.根据权利要求1所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为50℃以上。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述溶剂包含选自闪点为70℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述溶剂中闪点为70℃以上且低于200℃的有机溶剂和水的总量为50体积%以上。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含硅化合物包含1,1,1,3,3,3-六甲基二硅氮烷。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含硅化合物包含无机硅化合物。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含碱土金属化合物包含有机碱土金属化合物。

9.根据权利要求8所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述有机碱土金属化合物具有烷基、烷氧基、酰氧基、苯基、乙酰丙酮基、以及磺酸基中的至少任一者。

10.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含碱土金属化合物包含无机碱土金属化合物。

11.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其还含有含铝化合物和含硼化合物中的至少任一者。

12.根据权利要求11所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含铝化合物和含硼化合物中的至少任一者的闪点低于70℃。

13.根据权利要求11所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含铝化合物包含有机铝化合物。

14.根据权利要求13所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述有机铝化合物具有烷基、烷氧基、酰氧基、乙酰丙酮基、以及磺酸基中的至少任一者。

15.根据权利要求11所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含铝化合物包含无机铝化合物。

16.根据权利要求11所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含硼化合物包含有机硼化合物。

17.根据权利要求16所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述有机硼化合物具有烷基、烷氧基、酰氧基、苯基、磺酸基、以及噻吩基中的至少任一者。

18.根据权利要求11所述的氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其中，

所述含硼化合物包含无机硼化合物。