[发明专利]氧化物绝缘体膜形成用涂布液

说明书

本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。

技术领域

本发明涉及氧化物绝缘体膜形成用涂布液。

背景技术

近年来，使用了薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT)的有源矩阵方式的平板薄型显示器(Flat Panel Display:FPD)已投入实际使用，例如可举出：液晶显示器(LiquidCrystal Display:LCD)、有机EL(电致发光)显示器(OLED)、电子纸等。

作为用于TFT的半导体材料，大致分为非晶硅(a-Si)、低温多晶硅(LTPS)、In-Ga-Zn-O(IGZO)系的氧化物半导体这三种，并且在任一种TFT中，均形成了用于保护TFT免受外部气体(氧、水、氮)影响的钝化层。通常，将SiO₂、SiON、或SiN这样的低介电常数绝缘膜材料用作钝化层，其形成方法通常为化学气相沉积法(CVD法)、原子层沉积法(ALD法)、溅射法等真空工艺。然而，这些真空工艺需要复杂且昂贵的设备和对于原料气体的安全措施等，存在工艺成本高的问题。

另一方面，近年来，印刷电子器件的开发正在变得活跃，其使用了能够降低真空工艺成本的涂布工艺。例如，报道了：将全氢聚硅氮烷二甲苯溶液用作前体溶液，将通过涂布工艺形成的SiO₂膜用作TFT的钝化层(保护层)(例如参见专利文献1)。

然而，SiO₂膜具有低至5×10^-7的线膨胀系数，如果将其形成在有机硅有源层、氧化物有源层、金属布线、以及氧化物布线上时，则在后续工序的加热工序中易发生开裂、剥离等，在制造过程的稳定性上存在问题。需要说明的是，从安全性的观点出发，前体溶液的溶剂优选具有较高的闪点。

因此，需要一种能够进行低成本且高稳定性的低介电常数氧化膜形成工艺的氧化物绝缘体膜形成用涂布液。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-103203号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种能够进行低成本且高稳定性的低介电常数氧化膜形成工艺的氧化物绝缘体膜形成用涂布液。

解决问题的方法

本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液是用于形成氧化物绝缘体膜的涂布液，其含有含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，其中，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。

发明的效果

根据本发明所公开的技术，可以提供一种能够进行低成本且高稳定性的低介电常数氧化膜形成工艺的氧化物绝缘体膜形成用涂布液。

附图说明

图1是示例出本发明实施方式的场效应晶体管的剖面图(其1)。

图2是示例出本发明实施方式的场效应晶体管的剖面图(其2)。

图3是示例出本发明实施方式的场效应晶体管的剖面图(其3)。

图4是示例出本发明实施方式的场效应晶体管的剖面图(其4)。

符号说明

10、10A、10B、10C 场效应晶体管

11 基材

12 栅电极